5962-8771002GA放大器基础信息:
5962-8771002GA是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为TO-5, CAN8,.2
5962-8771002GA放大器核心信息:
5962-8771002GA的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。25℃下的最大偏置电流为:0.05 µA他的最大平均偏置电流为0.01 µA
如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,5962-8771002GA的标称压摆率有0.5 V/us。厂商给出的5962-8771002GA的最大压摆率为4 mA.其最小电压增益为25000。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,5962-8771002GA增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为1000 kHz。
5962-8771002GA的标称供电电压为5 V,其对应的标称负供电电压为。5962-8771002GA的输入失调电压为500 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)
5962-8771002GA的相关尺寸:
5962-8771002GA拥有8个端子.其端子位置类型为:BOTTOM。共有针脚:8
5962-8771002GA放大器其他信息:
5962-8771002GA采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其不属于低失调类放大器。5962-8771002GA的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:MILITARY。其对应的的JESD-30代码为:O-MBCY-W8。
其对应的的JESD-609代码为:e0。5962-8771002GA的封装代码是:TO-5。5962-8771002GA封装的材料多为METAL。而其封装形状为ROUND。5962-8771002GA封装引脚的形式有:CYLINDRICAL。
其端子形式有:WIRE。
5962-8771002GA放大器基础信息:
5962-8771002GA是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为TO-5, CAN8,.2
5962-8771002GA放大器核心信息:
5962-8771002GA的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。25℃下的最大偏置电流为:0.05 µA他的最大平均偏置电流为0.01 µA
如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,5962-8771002GA的标称压摆率有0.5 V/us。厂商给出的5962-8771002GA的最大压摆率为4 mA.其最小电压增益为25000。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,5962-8771002GA增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为1000 kHz。
5962-8771002GA的标称供电电压为5 V,其对应的标称负供电电压为。5962-8771002GA的输入失调电压为500 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)
5962-8771002GA的相关尺寸:
5962-8771002GA拥有8个端子.其端子位置类型为:BOTTOM。共有针脚:8
5962-8771002GA放大器其他信息:
5962-8771002GA采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其不属于低失调类放大器。5962-8771002GA的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:MILITARY。其对应的的JESD-30代码为:O-MBCY-W8。
其对应的的JESD-609代码为:e0。5962-8771002GA的封装代码是:TO-5。5962-8771002GA封装的材料多为METAL。而其封装形状为ROUND。5962-8771002GA封装引脚的形式有:CYLINDRICAL。
其端子形式有:WIRE。
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | National Semiconductor(TI ) |
| 零件包装代码 | BCY |
| 包装说明 | TO-5, CAN8,.2 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.01 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.05 µA |
| 标称共模抑制比 | 70 dB |
| 频率补偿 | YES |
| 最大输入失调电压 | 500 µV |
| JESD-30 代码 | O-MBCY-W8 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 低-失调 | NO |
| 负供电电压上限 | |
| 标称负供电电压 (Vsup) | |
| 功能数量 | 2 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装代码 | TO-5 |
| 封装等效代码 | CAN8,.2 |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 电源 | +-1.5/+-15/3/30 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38535 |
| 标称压摆率 | 0.5 V/us |
| 最大压摆率 | 4 mA |
| 供电电压上限 | 32 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | BIPOLAR |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 标称均一增益带宽 | 1000 kHz |
| 最小电压增益 | 25000 |
| Base Number Matches | 1 |
| 5962-8771002GA | 5962-8771002QXA | SIT9025AMB22-28DB25.000625E | 5962-8771002VPA | 5962-8771002PA | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | IC DUAL OP-AMP, 500 uV OFFSET-MAX, 1 MHz BAND WIDTH, MBCY8, METAL CAN, TO-99, 8 PIN, Operational Amplifier | IC DUAL OP-AMP, 500 uV OFFSET-MAX, 1 MHz BAND WIDTH, CDSO10, CERAMIC, SOIC-10, Operational Amplifier | LVCMOS Output Clock Oscillator, 25.000625MHz Nom, | IC DUAL OP-AMP, 5000 uV OFFSET-MAX, 1 MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERAMIC, DIP-8, Operational Amplifier | IC DUAL OP-AMP, 500 uV OFFSET-MAX, 1 MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERAMIC, DIP-8, Operational Amplifier |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | unknown | unknown | compliant |
| 厂商名称 | National Semiconductor(TI ) | National Semiconductor(TI ) | - | National Semiconductor(TI ) | National Semiconductor(TI ) |
| 零件包装代码 | BCY | SOIC | - | DIP | DIP |
| 包装说明 | TO-5, CAN8,.2 | SOP, SOP10,.4 | - | CERAMIC, DIP-8 | DIP, DIP8,.3 |
| 针数 | 8 | 10 | - | 8 | 8 |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | - | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | - | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK | - | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.01 µA | 0.01 µA | - | 0.01 µA | 0.01 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.05 µA | 0.05 µA | - | 0.05 µA | 0.05 µA |
| 标称共模抑制比 | 70 dB | 70 dB | - | 70 dB | 70 dB |
| 频率补偿 | YES | YES | - | YES | YES |
| 最大输入失调电压 | 500 µV | 500 µV | - | 5000 µV | 500 µV |
| JESD-30 代码 | O-MBCY-W8 | R-CDSO-G10 | - | R-GDIP-T8 | R-GDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | - | e0 | e0 |
| 低-失调 | NO | NO | - | NO | NO |
| 功能数量 | 2 | 2 | - | 2 | 2 |
| 端子数量 | 8 | 10 | - | 8 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | - | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | - | -55 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | METAL | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | - | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | TO-5 | SOP | - | DIP | DIP |
| 封装等效代码 | CAN8,.2 | SOP10,.4 | - | DIP8,.3 | DIP8,.3 |
| 封装形状 | ROUND | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CYLINDRICAL | SMALL OUTLINE | - | IN-LINE | IN-LINE |
| 电源 | +-1.5/+-15/3/30 V | +-1.5/+-15/3/30 V | - | +-1.5/+-15/3/30 V | +-1.5/+-15/3/30 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38535 | MIL-PRF-38535 | - | MIL-PRF-38535 Class V | MIL-PRF-38535 |
| 标称压摆率 | 0.5 V/us | 0.5 V/us | - | 0.5 V/us | 0.5 V/us |
| 最大压摆率 | 4 mA | 4 mA | - | 4 mA | 4 mA |
| 供电电压上限 | 32 V | 32 V | - | 32 V | 32 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | - | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | YES | - | NO | NO |
| 技术 | BIPOLAR | BIPOLAR | - | BIPOLAR | BIPOLAR |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | - | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD | - | TIN LEAD | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | WIRE | GULL WING | - | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | BOTTOM | DUAL | - | DUAL | DUAL |
| 标称均一增益带宽 | 1000 kHz | 1000 kHz | - | 1000 kHz | 1000 kHz |
| 最小电压增益 | 25000 | 25000 | - | 25000 | 25000 |
| Base Number Matches | 1 | 1 | - | 1 | - |
| 座面最大高度 | - | 2.34 mm | - | 5.08 mm | 5.08 mm |
| 端子节距 | - | 1.27 mm | - | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 宽度 | - | 6.12 mm | - | 7.62 mm | 7.62 mm |
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