5962-8771002VPA放大器基础信息：
5962-8771002VPA是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为CERAMIC, DIP-8
5962-8771002VPA放大器核心信息：
5962-8771002VPA的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。25℃下的最大偏置电流为：0.05 µA他的最大平均偏置电流为0.01 µA
如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，5962-8771002VPA的标称压摆率有0.5 V/us。厂商给出的5962-8771002VPA的最大压摆率为4 mA.其最小电压增益为25000。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，5962-8771002VPA增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为1000 kHz。
5962-8771002VPA的标称供电电压为5 V，其对应的标称负供电电压为。5962-8771002VPA的输入失调电压为5000 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）5962-8771002VPA的宽度为：7.62 mm。
5962-8771002VPA的相关尺寸：
5962-8771002VPA拥有8个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚：8
5962-8771002VPA放大器其他信息：
5962-8771002VPA采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其不属于低失调类放大器。5962-8771002VPA的频率补偿情况是：YES。其温度等级为：MILITARY。其对应的的JESD-30代码为：R-GDIP-T8。
其对应的的JESD-609代码为：e0。5962-8771002VPA的封装代码是：DIP。5962-8771002VPA封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。而其封装形状为RECTANGULAR。5962-8771002VPA封装引脚的形式有：IN-LINE。
其端子形式有：THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。
5962-8771002VPA放大器基础信息：
5962-8771002VPA是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为CERAMIC, DIP-8
5962-8771002VPA放大器核心信息：
5962-8771002VPA的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。25℃下的最大偏置电流为：0.05 µA他的最大平均偏置电流为0.01 µA
如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，5962-8771002VPA的标称压摆率有0.5 V/us。厂商给出的5962-8771002VPA的最大压摆率为4 mA.其最小电压增益为25000。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，5962-8771002VPA增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为1000 kHz。
5962-8771002VPA的标称供电电压为5 V，其对应的标称负供电电压为。5962-8771002VPA的输入失调电压为5000 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）5962-8771002VPA的宽度为：7.62 mm。
5962-8771002VPA的相关尺寸：
5962-8771002VPA拥有8个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚：8
5962-8771002VPA放大器其他信息：
5962-8771002VPA采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其不属于低失调类放大器。5962-8771002VPA的频率补偿情况是：YES。其温度等级为：MILITARY。其对应的的JESD-30代码为：R-GDIP-T8。
其对应的的JESD-609代码为：e0。5962-8771002VPA的封装代码是：DIP。5962-8771002VPA封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。而其封装形状为RECTANGULAR。5962-8771002VPA封装引脚的形式有：IN-LINE。
其端子形式有：THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | National Semiconductor（TI ） |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | CERAMIC, DIP-8 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.01 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.05 µA |
| 标称共模抑制比 | 70 dB |
| 频率补偿 | YES |
| 最大输入失调电压 | 5000 µV |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 低-失调 | NO |
| 负供电电压上限 | |
| 标称负供电电压 (Vsup) | |
| 功能数量 | 2 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 电源 | +-1.5/+-15/3/30 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38535 Class V |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 标称压摆率 | 0.5 V/us |
| 最大压摆率 | 4 mA |
| 供电电压上限 | 32 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | BIPOLAR |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 标称均一增益带宽 | 1000 kHz |
| 最小电压增益 | 25000 |
| 宽度 | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| 5962-8771002VPA | 5962-8771002QXA | SIT9025AMB22-28DB25.000625E | 5962-8771002GA | 5962-8771002PA | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | IC DUAL OP-AMP, 5000 uV OFFSET-MAX, 1 MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERAMIC, DIP-8, Operational Amplifier | IC DUAL OP-AMP, 500 uV OFFSET-MAX, 1 MHz BAND WIDTH, CDSO10, CERAMIC, SOIC-10, Operational Amplifier | LVCMOS Output Clock Oscillator, 25.000625MHz Nom, | IC DUAL OP-AMP, 500 uV OFFSET-MAX, 1 MHz BAND WIDTH, MBCY8, METAL CAN, TO-99, 8 PIN, Operational Amplifier | IC DUAL OP-AMP, 500 uV OFFSET-MAX, 1 MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERAMIC, DIP-8, Operational Amplifier |
| Reach Compliance Code | unknown | compliant | unknown | compliant | compliant |
| 厂商名称 | National Semiconductor（TI ） | National Semiconductor（TI ） | - | National Semiconductor（TI ） | National Semiconductor（TI ） |
| 零件包装代码 | DIP | SOIC | - | BCY | DIP |
| 包装说明 | CERAMIC, DIP-8 | SOP, SOP10,.4 | - | TO-5, CAN8,.2 | DIP, DIP8,.3 |
| 针数 | 8 | 10 | - | 8 | 8 |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | - | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | - | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK | - | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.01 µA | 0.01 µA | - | 0.01 µA | 0.01 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.05 µA | 0.05 µA | - | 0.05 µA | 0.05 µA |
| 标称共模抑制比 | 70 dB | 70 dB | - | 70 dB | 70 dB |
| 频率补偿 | YES | YES | - | YES | YES |
| 最大输入失调电压 | 5000 µV | 500 µV | - | 500 µV | 500 µV |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T8 | R-CDSO-G10 | - | O-MBCY-W8 | R-GDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | - | e0 | e0 |
| 低-失调 | NO | NO | - | NO | NO |
| 功能数量 | 2 | 2 | - | 2 | 2 |
| 端子数量 | 8 | 10 | - | 8 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | - | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | - | -55 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | - | METAL | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP | SOP | - | TO-5 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 | SOP10,.4 | - | CAN8,.2 | DIP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - | ROUND | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | SMALL OUTLINE | - | CYLINDRICAL | IN-LINE |
| 电源 | +-1.5/+-15/3/30 V | +-1.5/+-15/3/30 V | - | +-1.5/+-15/3/30 V | +-1.5/+-15/3/30 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38535 Class V | MIL-PRF-38535 | - | MIL-PRF-38535 | MIL-PRF-38535 |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 2.34 mm | - | - | 5.08 mm |
| 标称压摆率 | 0.5 V/us | 0.5 V/us | - | 0.5 V/us | 0.5 V/us |
| 最大压摆率 | 4 mA | 4 mA | - | 4 mA | 4 mA |
| 供电电压上限 | 32 V | 32 V | - | 32 V | 32 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | - | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | YES | - | NO | NO |
| 技术 | BIPOLAR | BIPOLAR | - | BIPOLAR | BIPOLAR |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | - | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD | - | TIN LEAD | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING | - | WIRE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm | - | - | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | - | BOTTOM | DUAL |
| 标称均一增益带宽 | 1000 kHz | 1000 kHz | - | 1000 kHz | 1000 kHz |
| 最小电压增益 | 25000 | 25000 | - | 25000 | 25000 |
| 宽度 | 7.62 mm | 6.12 mm | - | - | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 | 1 | - | 1 | - |
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