5962-9751001QHA放大器基础信息:
5962-9751001QHA是来自Texas Instruments的一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为CERAMIC, DFP-10
5962-9751001QHA放大器核心信息:
5962-9751001QHA的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED他的最大平均偏置电流为0.0003 µA
如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,5962-9751001QHA的标称压摆率有0.25 V/us。厂商给出的5962-9751001QHA的最大压摆率为0.27 mA,而最小压摆率为0.1 V/us。其最小电压增益为500。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,5962-9751001QHA增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为500 kHz。
5962-9751001QHA的标称供电电压为3 V,其对应的标称负供电电压为。5962-9751001QHA的输入失调电压为2500 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)
5962-9751001QHA的相关尺寸:
5962-9751001QHA的宽度为:6.225 mm,长度为6.475 mm5962-9751001QHA拥有10个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为1.27 mm。共有针脚:10
5962-9751001QHA放大器其他信息:
5962-9751001QHA采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。5962-9751001QHA的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:MILITARY。
其属于微功率放大器。5962-9751001QHA不符合Rohs认证。其含有铅成分。其对应的的JESD-30代码为:R-GDFP-F10。5962-9751001QHA的封装代码是:DFP。
5962-9751001QHA封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。而其封装形状为RECTANGULAR。5962-9751001QHA封装引脚的形式有:FLATPACK。其端子形式有:FLAT。座面最大高度为2.03 mm。
5962-9751001QHA放大器基础信息:
5962-9751001QHA是来自Texas Instruments的一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为CERAMIC, DFP-10
5962-9751001QHA放大器核心信息:
5962-9751001QHA的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED他的最大平均偏置电流为0.0003 µA
如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,5962-9751001QHA的标称压摆率有0.25 V/us。厂商给出的5962-9751001QHA的最大压摆率为0.27 mA,而最小压摆率为0.1 V/us。其最小电压增益为500。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,5962-9751001QHA增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为500 kHz。
5962-9751001QHA的标称供电电压为3 V,其对应的标称负供电电压为。5962-9751001QHA的输入失调电压为2500 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)
5962-9751001QHA的相关尺寸:
5962-9751001QHA的宽度为:6.225 mm,长度为6.475 mm5962-9751001QHA拥有10个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为1.27 mm。共有针脚:10
5962-9751001QHA放大器其他信息:
5962-9751001QHA采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。5962-9751001QHA的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:MILITARY。
其属于微功率放大器。5962-9751001QHA不符合Rohs认证。其含有铅成分。其对应的的JESD-30代码为:R-GDFP-F10。5962-9751001QHA的封装代码是:DFP。
5962-9751001QHA封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。而其封装形状为RECTANGULAR。5962-9751001QHA封装引脚的形式有:FLATPACK。其端子形式有:FLAT。座面最大高度为2.03 mm。
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | Texas Instruments |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | DFP |
| 包装说明 | CERAMIC, DFP-10 |
| 针数 | 10 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.0003 µA |
| 标称共模抑制比 | 83 dB |
| 频率补偿 | YES |
| 最大输入失调电压 | 2500 µV |
| JESD-30 代码 | R-GDFP-F10 |
| 长度 | 6.475 mm |
| 低-偏置 | YES |
| 低-失调 | NO |
| 微功率 | YES |
| 负供电电压上限 | |
| 标称负供电电压 (Vsup) | |
| 功能数量 | 2 |
| 端子数量 | 10 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DFP |
| 封装等效代码 | FL10,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLATPACK |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
| 电源 | +-1.5/+-2.5/3/5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38535 Class Q |
| 座面最大高度 | 2.03 mm |
| 最小摆率 | 0.1 V/us |
| 标称压摆率 | 0.25 V/us |
| 最大压摆率 | 0.27 mA |
| 供电电压上限 | 12 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 500 kHz |
| 最小电压增益 | 500 |
| 宽度 | 6.225 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| 5962-9751001QHA | 5962-9751002Q2A | TLV2432AIPWLE | TLV2432AMFKB | TLV2432AMJGB | TLV2432MUB | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | Advanced LinCMOS(TM) Rail-To-Rail Output Wide-Input-Voltage Dual Operational Amplifier 10-CFP -55 to 125 | Advanced LinCMOS(TM) Rail-To-Rail Output Wide-Input-Voltage Dual Operational Amplifier 20-LCCC -55 to 125 | Advanced LinCMOS(TM) Rail-To-Rail Output Wide-Input-Voltage Dual Operational Amplifier 8-TSSOP -40 to 85 | Advanced LinCMOS(TM) Rail-To-Rail Output Wide-Input-Voltage Dual Operational Amplifier 20-LCCC -55 to 125 | Advanced LinCMOS(TM) Rail-To-Rail Output Wide-Input-Voltage Dual Operational Amplifier 8-CDIP -55 to 125 | Advanced LinCMOS(TM) Rail-To-Rail Output Wide-Input-Voltage Dual Operational Amplifier 10-CFP -55 to 125 |
| Brand Name | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 零件包装代码 | DFP | QLCC | SOIC | QLCC | DIP | DFP |
| 包装说明 | CERAMIC, DFP-10 | CERAMIC, LCC-20 | PLASTIC, TSSOP-8 | CERAMIC, LCC-20 | CERAMIC, DIP-8 | CERAMIC, DFP-10 |
| 针数 | 10 | 20 | 8 | 20 | 8 | 10 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.0003 µA | 0.0003 µA | 0.00015 µA | 0.0003 µA | 0.0003 µA | 0.0003 µA |
| 标称共模抑制比 | 83 dB | 83 dB | 83 dB | 83 dB | 83 dB | 83 dB |
| 频率补偿 | YES | YES | YES | YES | YES | YES |
| 最大输入失调电压 | 2500 µV | 2000 µV | 1500 µV | 2000 µV | 2000 µV | 2500 µV |
| JESD-30 代码 | R-GDFP-F10 | S-CQCC-N20 | R-PDSO-G8 | S-CQCC-N20 | R-GDIP-T8 | R-GDFP-F10 |
| 长度 | 6.475 mm | 8.89 mm | 4.4 mm | 8.89 mm | 9.58 mm | 6.475 mm |
| 低-偏置 | YES | YES | YES | YES | YES | YES |
| 低-失调 | NO | NO | NO | NO | NO | NO |
| 微功率 | YES | YES | YES | YES | YES | YES |
| 功能数量 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 10 | 20 | 8 | 20 | 8 | 10 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 85 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -40 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | PLASTIC/EPOXY | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DFP | QCCN | TSSOP | QCCN | DIP | DFP |
| 封装等效代码 | FL10,.3 | LCC20,.35SQ | TSSOP8,.25 | LCC20,.35SQ | DIP8,.3 | FL10,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | SQUARE | RECTANGULAR | SQUARE | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLATPACK | CHIP CARRIER | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | CHIP CARRIER | IN-LINE | FLATPACK |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | +-1.5/+-2.5/3/5 V | +-1.5/+-2.5/3/5 V | 3/5 V | 3/5 V | 3/5 V | 3/5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 2.03 mm | 2.03 mm | 1.2 mm | 2.03 mm | 5.08 mm | 2.03 mm |
| 最小摆率 | 0.1 V/us | 0.1 V/us | 0.1 V/us | 0.1 V/us | 0.1 V/us | 0.1 V/us |
| 标称压摆率 | 0.25 V/us | 0.25 V/us | 0.25 V/us | 0.25 V/us | 0.25 V/us | 0.25 V/us |
| 最大压摆率 | 0.27 mA | 0.27 mA | 0.25 mA | 0.26 mA | 0.27 mA | 0.27 mA |
| 供电电压上限 | 12 V | 12 V | 12 V | 12 V | 12 V | 12 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES | YES | NO | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | INDUSTRIAL | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子形式 | FLAT | NO LEAD | GULL WING | NO LEAD | THROUGH-HOLE | FLAT |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 0.65 mm | 1.27 mm | 2.54 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | QUAD | DUAL | QUAD | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 500 kHz | 500 kHz | 500 kHz | 500 kHz | 500 kHz | 500 kHz |
| 最小电压增益 | 500 | 500 | 1000 | 500 | 500 | 500 |
| 宽度 | 6.225 mm | 8.89 mm | 3 mm | 8.89 mm | 7.62 mm | 6.225 mm |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38535 Class Q | MIL-PRF-38535 Class Q | - | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B | MIL-STD-883 |
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