Datasheet> 器件分类 > 模拟混合信号IC> 驱动程序和接口> NCV5703BDR2G

NCV5703BDR2G: 产品描述IGBT Gate Drivers, High-Current, Stand-Alone With VEE, 2500-REEL; 产品类别模拟混合信号IC 驱动程序和接口; 文件大小667KB，共20页; 制造商ON Semiconductor(安森美); 官网地址http://www.onsemi.cn

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NCV5703BDR2G概述

IGBT Gate Drivers, High-Current, Stand-Alone With VEE, 2500-REEL

NCV5703BDR2G规格参数

参数名称	属性值
Brand Name	ON Semiconductor
是否无铅	不含铅
厂商名称	ON Semiconductor(安森美)
包装说明	SOP, SOP8,.25
制造商包装代码	751-07
Reach Compliance Code	unknown
Factory Lead Time	4 weeks
Samacsys Description	ORDERABLE PART NUMBER OF
高边驱动器	YES
接口集成电路类型	BUFFER OR INVERTER BASED IGBT DRIVER
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e3
长度	4.9 mm
湿度敏感等级	1
标称负供电电压	-10 V
功能数量	1
端子数量	8
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP
封装等效代码	SOP8,.25
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
筛选级别	AEC-Q100
座面最大高度	1.75 mm
最大压摆率	1.5 mA
最大供电电压	30 V
最小供电电压	13.2 V
标称供电电压	15 V
表面贴装	YES
温度等级	AUTOMOTIVE
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
断开时间	0.075 µs
接通时间	0.075 µs
宽度	3.9 mm
Base Number Matches	1

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NCV5703A, NCV5703B,

NCV5703C

High Current IGBT Gate

Drivers

The NCV5703A, NCV5703B and NCV5703C are high−current,

high−performance stand−alone IGBT drivers for high power

applications that include solar inverters, motor control and

uninterruptible power supplies. The devices offer a cost−effective

solution by eliminating external output buffer. Devices protection

features include accurate Under−voltage−lockout (UVLO),

desaturation protection (DESAT) and Active open−drain FAULT

output. The drivers also feature an accurate 5.0 V output. The drivers

are designed to accommodate a wide voltage range of bias supplies

including unipolar and NCV5703B even bipolar voltages.

Depending on the pin configuration the devices also include Active

Miller Clamp (NCV5703A) and separate high and low (V

and V

)

driver outputs for system design convenience (NCV5703C).

All three available pin configuration variants have 8−pin SOIC

package.

Features

www.onsemi.com

SOIC−8

D SUFFIX

CASE 751

MARKING

DIAGRAM

NCV5703X

ALYW

NCV5703 = Specific Device Code

= A, B or C

= Assembly Location

= Wafer Lot

= Year

= Work Week

= Pb−Free Package

•

High Current Output (+4/−6 A) at IGBT Miller Plateau voltages

Low Output Impedance for Enhanced IGBT Driving

Short Propagation Delay with Accurate Matching

Direct Interface to Digital Isolator/Opto−coupler/Pulse Transformer

for Isolated Drive, Logic Compatibility for Non−isolated Drive

DESAT Protection with Programmable Delay

Tight UVLO Thresholds for Bias Flexibility

Wide Bias Voltage Range

This Device is Pb−Free, Halogen−Free and RoHS Compliant

PIN CONNECTIONS

VIN

VREF

FLT

DESAT

CLAMP

GND

VCC

NCV5703A

VIN

VREF

FLT

DESAT

NCV5703A Features

VEE

GND

VCC

•

Active Miller Clamp to Prevent Spurious Gate Turn−on

NCV5703B Features

•

Negative Output Voltage for Enhanced IGBT Driving

NCV5703C Features

NCV5703B

VIN

VREF

FLT

DESAT

•

Separate Outputs for V

and V

Typical Applications

GND

VOL

VOH

VCC

•

Motor Control

Uninterruptible Power Supplies (UPS)

Automotive Power Supplies

HEV/EV PTC Heaters

NCV5703C

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information on page 9 of

this data sheet.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2018

August, 2019

−

Rev. 1

Publication Order Number:

NCV5703/D

NCV5703BDR2G相似产品对比

	NCV5703BDR2G	NCV5703ADR2G	NCV5703CDR2G
描述	IGBT Gate Drivers, High-Current, Stand-Alone With VEE, 2500-REEL	IGBT Gate Drivers, High-Current, Stand-Alone With Active Miller Clamp, 2500-REEL	IGBT Gate Drivers, High-Current, Stand-Alone With Split Gate Outputs, 2500-REEL
Brand Name	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅
厂商名称	ON Semiconductor(安森美)	ON Semiconductor(安森美)	ON Semiconductor(安森美)
包装说明	SOP, SOP8,.25	SOP, SOP8,.25	SOP, SOP8,.25
制造商包装代码	751-07	751-07	751-07
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
Factory Lead Time	4 weeks	6 weeks	4 weeks
Samacsys Description	ORDERABLE PART NUMBER OF	ORDERABLE PART NUMBER OF	ORDERABLE PART NUMBER OF
高边驱动器	YES	YES	YES
接口集成电路类型	BUFFER OR INVERTER BASED IGBT DRIVER	BUFFER OR INVERTER BASED IGBT DRIVER	BUFFER OR INVERTER BASED IGBT DRIVER
JESD-30 代码	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8
长度	4.9 mm	4.9 mm	4.9 mm
湿度敏感等级	1	1	1
功能数量	1	1	1
端子数量	8	8	8
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP	SOP	SOP
封装等效代码	SOP8,.25	SOP8,.25	SOP8,.25
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
筛选级别	AEC-Q100	AEC-Q100	AEC-Q100
座面最大高度	1.75 mm	1.75 mm	1.75 mm
最大压摆率	1.5 mA	1.5 mA	1.5 mA
最大供电电压	30 V	30 V	30 V
最小供电电压	13.2 V	13.2 V	13.2 V
标称供电电压	15 V	15 V	15 V
表面贴装	YES	YES	YES
温度等级	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
断开时间	0.075 µs	0.075 µs	0.075 µs
接通时间	0.075 µs	0.075 µs	0.075 µs
宽度	3.9 mm	3.9 mm	3.9 mm
Base Number Matches	1	1	1
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed	Nickel/Gold/Palladium (Ni/Au/Pd)	-

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