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2SC3900

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小306KB,共5页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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2SC3900概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236,

2SC3900规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid1417103503
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)100
JEDEC-95代码TO-236
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

2SC3900相似产品对比

2SC3900 2SA1510
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236, Switching Applications
是否Rohs认证 不符合 不符合
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 100 100
JEDEC-95代码 TO-236 TO-236
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.2 W 0.2 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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