电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

30WQ15FN

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3.5A, Silicon, TO-252AA, TO-252AA, DPAK-3
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小325KB,共4页
制造商Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

30WQ15FN概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3.5A, Silicon, TO-252AA, TO-252AA, DPAK-3

30WQ15FN规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
包装说明R-PSSO-G2
Reach Compliance Codecompliant
其他特性FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码TO-252AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流84 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最大输出电流3.5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
30WQ15FN
Technical Data
Data Sheet N0688, Rev. A
30WQ15FN SCHOTTKY RECTIFIER
Features
Small foot print, surface mountable
Low forward voltage drop
High frequency operation
Guard ring for enhanced ruggedness and long term reliability
Green products in compliance with the ROHS directive
This is a Pb − Free Device
All SMC parts are traceable to the wafer lot
Additional testing can be offered upon request
DPAK
Circuit Diagram
Applications
Disk drives
Switching power supply
Converters
Free-Wheeling diodes
Reverse battery protection
Battery charging
Maximum Ratings:
Characteristics
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
Average Rectified Forward Current
Peak One Cycle Non-Repetitive Surge
Current
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F (AV)
I
FSM
Condition
-
50% duty cycle @Tc=134°C,
rectangular wave form
8.3ms, Half Sine pulse
Max.
150
3.5
84
Units
V
A
A
Electrical Characteristics:
Characteristics
Forward Voltage Drop*
Reverse Current *
Junction Capacitance
Typical Series Inductance
Voltage Rate of Change
* Pulse width < 300 µs, duty cycle < 2%
Symbol
V
F1
V
F2
I
R1
I
R2
C
T
L
S
dv/dt
Condition
@ 3A, Pulse, T
J
= 25
C
@ 3A, Pulse, T
J
= 125
C
@V
R
= rated V
R,
T
J
= 25
C
@V
R
= rated V
R,
T
J
= 125
C
@V
R
= 5V, T
C
= 25
C
f
SIG
= 1MHz
Measured lead to lead 5 mm from
package body
-
Typ.
0.79
0.62
0.0001
0.03
80
5.0
-
Max.
0.83
0.65
1.00
5
200
-
10,000
Units
V
V
mA
mA
pF
nH
V/s
China - Germany - Korea - Singapore - United States
http://www.smc-diodes.com - sales@ smc-diodes.com

30WQ15FN相似产品对比

30WQ15FN
描述 Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3.5A, Silicon, TO-252AA, TO-252AA, DPAK-3
是否Rohs认证 不符合
厂商名称 Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
包装说明 R-PSSO-G2
Reach Compliance Code compliant
其他特性 FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY
应用 GENERAL PURPOSE
外壳连接 CATHODE
配置 SINGLE
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码 TO-252AA
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流 84 A
元件数量 1
相数 1
端子数量 2
最大输出电流 3.5 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
技术 SCHOTTKY
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2808  400  1029  405  132  27  19  20  14  58 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved