IDT7164L55TD,IDT7164L55TD pdf中文资料,IDT7164L55TD引脚图,IDT7164L55TD电路-Datasheet-电子工程世界

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Datasheet> 器件分类 > 存储> IDT7164L55TD

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IDT7164L55TD: 产品描述8K X 8 STANDARD SRAM, 35 ns, CDIP28; 产品类别存储; 文件大小70KB，共9页; 制造商IDT(艾迪悌); 官网地址http://www.idt.com/

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IDT7164L55TD概述

8K X 8 STANDARD SRAM, 35 ns, CDIP28

8K × 8 标准存储器, 35 ns, CDIP28

IDT7164L55TD规格参数

参数名称	属性值
功能数量	1
端子数量	28
最大工作温度	125 Cel
最小工作温度	-55 Cel
最大供电/工作电压	5.5 V
最小供电/工作电压	4.5 V
额定供电电压	5 V
最大存取时间	35 ns
加工封装描述	0.300 INCH, 陶瓷, DIP-28
状态	ACTIVE
工艺	CMOS
包装形状	矩形的
包装尺寸	IN-线
端子形式	THROUGH-孔
端子间距	2.54 mm
端子涂层	锡铅
端子位置	双
包装材料	陶瓷, 金属-SEALED COFIRED
温度等级	MILITARY
内存宽度	8
组织	8K × 8
存储密度	65536 deg
操作模式	ASYNCHRONOUS
位数	8192 words
位数	8K
内存IC类型	标准存储器
串行并行	并行

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