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K6X1008T2D-Q

产品描述128K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO32
产品类别存储   
文件大小103KB,共9页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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K6X1008T2D-Q概述

128K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO32

K6X1008T2D-Q规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量32
最大工作温度85 Cel
最小工作温度-40 Cel
最大供电/工作电压3.6 V
最小供电/工作电压2.7 V
额定供电电压3 V
最大存取时间70 ns
加工封装描述0.525 INCH, 塑料, SOP-32
状态DISCONTINUED
工艺CMOS
包装形状矩形的
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子间距1.27 mm
端子涂层锡 铅
端子位置
包装材料塑料/环氧树脂
温度等级INDUSTRIAL
内存宽度8
组织128K × 8
存储密度1.05E6 deg
操作模式ASYNCHRONOUS
位数131072 words
位数128K
内存IC类型标准存储器
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