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1N277LEADFREE

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 110V V(RRM), Germanium, DO-7, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小18KB,共1页
制造商Central Semiconductor
标准
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1N277LEADFREE概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 110V V(RRM), Germanium, DO-7, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

1N277LEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-7
包装说明O-LALF-W2
针数2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性GOLD BONDED
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料GERMANIUM
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-7
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量2
最高工作温度100 °C
最低工作温度-50 °C
最大输出电流0.1 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)260
最大功率耗散0.08 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压110 V
表面贴装NO
端子面层MATTE TIN (315)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
Base Number Matches1

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Germanium Diodes
DO-1 and DO-7 Cases
DO-1
DO-7
TYPE NO.
CASE
1N34A
1N60
1N67A
1N87A
1N91
1N92
1N93
1N100A
1N191
1N192
1N270
1N276
1N277
1N283
1N295
1N3666
1N4502
CN695
CN695A
DO-7
DO-7
DO-7
DO-7
DO-1
DO-1
DO-1
DO-7
DO-7
DO-7
DO-7
DO-7
DO-7
DO-7
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DO-7
DO-7
DO-7
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20
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80
20
20
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IO
VF
@ IF
trr
TECHNOLOGY
(mA)
(V)
(mA)
(ns)
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MAX
MAX
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*Not recommended for new designs. See Schottky Diodes on page 103.
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