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5962-9754501NYB

产品描述1MX16 SYNCHRONOUS DRAM, 15ns, PDSO50, PLASTIC, TSOP2-50
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文件大小539KB,共51页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数 选型对比

5962-9754501NYB概述

1MX16 SYNCHRONOUS DRAM, 15ns, PDSO50, PLASTIC, TSOP2-50

5962-9754501NYB规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2, TSOP50,.46,32
针数50
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间15 ns
其他特性AUTO REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)66 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码R-PDSO-G50
长度20.95 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量50
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织1MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSOP50,.46,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
筛选级别MIL-STD-883
座面最大高度1.2 mm
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大待机电流0.002 A
最大压摆率0.175 mA
最大供电电压 (Vsup)3.465 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10.16 mm
Base Number Matches1

5962-9754501NYB相似产品对比

5962-9754501NYB 5962-9754502NYB 5962-9754501QXA 5962-9754502QXA 5962-9754503QXA 5962-9754503NYB
描述 1MX16 SYNCHRONOUS DRAM, 15ns, PDSO50, PLASTIC, TSOP2-50 1MX16 SYNCHRONOUS DRAM, 20ns, PDSO50, PLASTIC, TSOP2-50 1MX16 SYNCHRONOUS DRAM, 15ns, CDFP50, CERAMIC, DFP-50 1MX16 SYNCHRONOUS DRAM, 20ns, CDFP50, CERAMIC, DFP-50 1MX16 SYNCHRONOUS DRAM, 12ns, CDFP50, CERAMIC, DFP-50 1MX16 SYNCHRONOUS DRAM, 12ns, PDSO50, PLASTIC, TSOP2-50
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 TSOP2 TSOP2 DFP DFP DFP TSOP2
包装说明 TSOP2, TSOP50,.46,32 TSOP2, TSOP50,.46,32 DFP, FL50,.67,32 DFP, FL50,.67,32 DFP, FL50,.67,32 TSOP2, TSOP50,.46,32
针数 50 50 50 50 50 50
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间 15 ns 20 ns 15 ns 20 ns 12 ns 12 ns
其他特性 AUTO REFRESH AUTO REFRESH AUTO REFRESH AUTO REFRESH AUTO REFRESH AUTO REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 66 MHz 50 MHz 66 MHz 50 MHz 83 MHz 83 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
交错的突发长度 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8
JESD-30 代码 R-PDSO-G50 R-PDSO-G50 R-CDFP-F50 R-CDFP-F50 R-CDFP-F50 R-PDSO-G50
长度 20.95 mm 20.95 mm 21 mm 21 mm 21 mm 20.95 mm
内存密度 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 16 16 16 16 16 16
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 50 50 50 50 50 50
字数 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
组织 1MX16 1MX16 1MX16 1MX16 1MX16 1MX16
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2 TSOP2 DFP DFP DFP TSOP2
封装等效代码 TSOP50,.46,32 TSOP50,.46,32 FL50,.67,32 FL50,.67,32 FL50,.67,32 TSOP50,.46,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE FLATPACK FLATPACK FLATPACK SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 4096 4096 4096 4096 4096
筛选级别 MIL-STD-883 MIL-STD-883 MIL-PRF-38535 Class Q MIL-PRF-38535 Class Q MIL-PRF-38535 Class Q MIL-STD-883
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 3.55 mm 3.55 mm 3.55 mm 1.2 mm
连续突发长度 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP
最大待机电流 0.002 A 0.002 A 0.002 A 0.002 A 0.002 A 0.002 A
最大压摆率 0.175 mA 0.15 mA 0.175 mA 0.15 mA 0.18 mA 0.18 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V
最小供电电压 (Vsup) 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子形式 GULL WING GULL WING FLAT FLAT FLAT GULL WING
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 10.16 mm 10.16 mm 16.5 mm 16.5 mm 16.5 mm 10.16 mm
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1
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