1MX16 SYNCHRONOUS DRAM, 12ns, CDFP50, CERAMIC, DFP-50
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 零件包装代码 | DFP |
| 包装说明 | DFP, FL50,.67,32 |
| 针数 | 50 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | DUAL BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 12 ns |
| 其他特性 | AUTO REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 83 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| 交错的突发长度 | 1,2,4,8 |
| JESD-30 代码 | R-CDFP-F50 |
| 长度 | 21 mm |
| 内存密度 | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度 | 16 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 50 |
| 字数 | 1048576 words |
| 字数代码 | 1000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 1MX16 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DFP |
| 封装等效代码 | FL50,.67,32 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLATPACK |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 4096 |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38535 Class Q |
| 座面最大高度 | 3.55 mm |
| 连续突发长度 | 1,2,4,8,FP |
| 最大待机电流 | 0.002 A |
| 最大压摆率 | 0.18 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.465 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3.135 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子节距 | 0.8 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 16.5 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| 5962-9754503QXA | 5962-9754502NYB | 5962-9754501QXA | 5962-9754502QXA | 5962-9754501NYB | 5962-9754503NYB | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | 1MX16 SYNCHRONOUS DRAM, 12ns, CDFP50, CERAMIC, DFP-50 | 1MX16 SYNCHRONOUS DRAM, 20ns, PDSO50, PLASTIC, TSOP2-50 | 1MX16 SYNCHRONOUS DRAM, 15ns, CDFP50, CERAMIC, DFP-50 | 1MX16 SYNCHRONOUS DRAM, 20ns, CDFP50, CERAMIC, DFP-50 | 1MX16 SYNCHRONOUS DRAM, 15ns, PDSO50, PLASTIC, TSOP2-50 | 1MX16 SYNCHRONOUS DRAM, 12ns, PDSO50, PLASTIC, TSOP2-50 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 零件包装代码 | DFP | TSOP2 | DFP | DFP | TSOP2 | TSOP2 |
| 包装说明 | DFP, FL50,.67,32 | TSOP2, TSOP50,.46,32 | DFP, FL50,.67,32 | DFP, FL50,.67,32 | TSOP2, TSOP50,.46,32 | TSOP2, TSOP50,.46,32 |
| 针数 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 访问模式 | DUAL BANK PAGE BURST | DUAL BANK PAGE BURST | DUAL BANK PAGE BURST | DUAL BANK PAGE BURST | DUAL BANK PAGE BURST | DUAL BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 12 ns | 20 ns | 15 ns | 20 ns | 15 ns | 12 ns |
| 其他特性 | AUTO REFRESH | AUTO REFRESH | AUTO REFRESH | AUTO REFRESH | AUTO REFRESH | AUTO REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 83 MHz | 50 MHz | 66 MHz | 50 MHz | 66 MHz | 83 MHz |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON |
| 交错的突发长度 | 1,2,4,8 | 1,2,4,8 | 1,2,4,8 | 1,2,4,8 | 1,2,4,8 | 1,2,4,8 |
| JESD-30 代码 | R-CDFP-F50 | R-PDSO-G50 | R-CDFP-F50 | R-CDFP-F50 | R-PDSO-G50 | R-PDSO-G50 |
| 长度 | 21 mm | 20.95 mm | 21 mm | 21 mm | 20.95 mm | 20.95 mm |
| 内存密度 | 16777216 bit | 16777216 bit | 16777216 bit | 16777216 bit | 16777216 bit | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM | SYNCHRONOUS DRAM | SYNCHRONOUS DRAM | SYNCHRONOUS DRAM | SYNCHRONOUS DRAM | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度 | 16 | 16 | 16 | 16 | 16 | 16 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 |
| 字数 | 1048576 words | 1048576 words | 1048576 words | 1048576 words | 1048576 words | 1048576 words |
| 字数代码 | 1000000 | 1000000 | 1000000 | 1000000 | 1000000 | 1000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 组织 | 1MX16 | 1MX16 | 1MX16 | 1MX16 | 1MX16 | 1MX16 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | PLASTIC/EPOXY | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DFP | TSOP2 | DFP | DFP | TSOP2 | TSOP2 |
| 封装等效代码 | FL50,.67,32 | TSOP50,.46,32 | FL50,.67,32 | FL50,.67,32 | TSOP50,.46,32 | TSOP50,.46,32 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLATPACK | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | FLATPACK | FLATPACK | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 刷新周期 | 4096 | 4096 | 4096 | 4096 | 4096 | 4096 |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38535 Class Q | MIL-STD-883 | MIL-PRF-38535 Class Q | MIL-PRF-38535 Class Q | MIL-STD-883 | MIL-STD-883 |
| 座面最大高度 | 3.55 mm | 1.2 mm | 3.55 mm | 3.55 mm | 1.2 mm | 1.2 mm |
| 连续突发长度 | 1,2,4,8,FP | 1,2,4,8,FP | 1,2,4,8,FP | 1,2,4,8,FP | 1,2,4,8,FP | 1,2,4,8,FP |
| 最大待机电流 | 0.002 A | 0.002 A | 0.002 A | 0.002 A | 0.002 A | 0.002 A |
| 最大压摆率 | 0.18 mA | 0.15 mA | 0.175 mA | 0.15 mA | 0.175 mA | 0.18 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.465 V | 3.465 V | 3.465 V | 3.465 V | 3.465 V | 3.465 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3.135 V | 3.135 V | 3.135 V | 3.135 V | 3.135 V | 3.135 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子形式 | FLAT | GULL WING | FLAT | FLAT | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 0.8 mm | 0.8 mm | 0.8 mm | 0.8 mm | 0.8 mm | 0.8 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 16.5 mm | 10.16 mm | 16.5 mm | 16.5 mm | 10.16 mm | 10.16 mm |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
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