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IDT6116LA20YB

产品描述2K X 8 STANDARD SRAM, 120 ns, CDIP24
产品类别存储   
文件大小64KB,共10页
制造商IDT(艾迪悌)
官网地址http://www.idt.com/
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IDT6116LA20YB概述

2K X 8 STANDARD SRAM, 120 ns, CDIP24

2K × 8 标准存储器, 120 ns, CDIP24

IDT6116LA20YB规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量24
最大工作温度125 Cel
最小工作温度-55 Cel
最大供电/工作电压5.5 V
最小供电/工作电压4.5 V
额定供电电压5 V
最大存取时间120 ns
加工封装描述0.600 INCH, CERAMIC, DIP-24
状态ACTIVE
工艺CMOS
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸IN-LINE
端子形式THROUGH-HOLE
端子间距2.54 mm
端子涂层TIN LEAD
端子位置DUAL
包装材料CERAMIC, GLASS-SEALED
温度等级MILITARY
内存宽度8
组织2K X 8
存储密度16384 deg
操作模式ASYNCHRONOUS
位数2048 words
位数2K
内存IC类型STANDARD SRAM
串行并行PARALLEL

 
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