2K X 8 STANDARD SRAM, 120 ns, CDIP24
2K × 8 标准存储器, 120 ns, CDIP24
参数名称 | 属性值 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 24 |
最大工作温度 | 125 Cel |
最小工作温度 | -55 Cel |
最大供电/工作电压 | 5.5 V |
最小供电/工作电压 | 4.5 V |
额定供电电压 | 5 V |
最大存取时间 | 120 ns |
加工封装描述 | 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-24 |
状态 | ACTIVE |
工艺 | CMOS |
包装形状 | RECTANGULAR |
包装尺寸 | IN-LINE |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子间距 | 2.54 mm |
端子涂层 | TIN LEAD |
端子位置 | DUAL |
包装材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
温度等级 | MILITARY |
内存宽度 | 8 |
组织 | 2K X 8 |
存储密度 | 16384 deg |
操作模式 | ASYNCHRONOUS |
位数 | 2048 words |
位数 | 2K |
内存IC类型 | STANDARD SRAM |
串行并行 | PARALLEL |
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