256KX9 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 100ns, SMA30, SIMM-30
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
零件包装代码 | SIMM |
包装说明 | SIMM-30 |
针数 | 30 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
访问模式 | PAGE |
最长访问时间 | 100 ns |
其他特性 | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-XSMA-T30 |
内存密度 | 2359296 bit |
内存集成电路类型 | DRAM MODULE |
内存宽度 | 9 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 30 |
字数 | 262144 words |
字数代码 | 256000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 256KX9 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装等效代码 | SIP30,.2 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
刷新周期 | 256 |
座面最大高度 | 16.51 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | NMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches | 1 |
TM4256EL9-10L | TM4256GU9-10L | |
---|---|---|
描述 | 256KX9 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 100ns, SMA30, SIMM-30 | 256KX9 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 100ns, SMA30, SIMM-30 |
厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
零件包装代码 | SIMM | SIMM |
包装说明 | SIMM-30 | SIMM, SIM30 |
针数 | 30 | 30 |
Reach Compliance Code | not_compliant | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
访问模式 | PAGE | PAGE |
最长访问时间 | 100 ns | 100 ns |
其他特性 | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
I/O 类型 | COMMON | COMMON |
JESD-30 代码 | R-XSMA-T30 | R-XSMA-N30 |
内存密度 | 2359296 bit | 2359296 bit |
内存集成电路类型 | DRAM MODULE | DRAM MODULE |
内存宽度 | 9 | 9 |
功能数量 | 1 | 1 |
端口数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 30 | 30 |
字数 | 262144 words | 262144 words |
字数代码 | 256000 | 256000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | 70 °C |
组织 | 256KX9 | 256KX9 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
封装等效代码 | SIP30,.2 | SIM30 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
电源 | 5 V | 5 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
刷新周期 | 256 | 256 |
座面最大高度 | 16.51 mm | 16.51 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
表面贴装 | NO | NO |
技术 | NMOS | NMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子形式 | THROUGH-HOLE | NO LEAD |
端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm |
端子位置 | SINGLE | SINGLE |
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