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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 933834760115
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933834760115

产品描述DIODE 0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS, SMD, 2 PIN, Signal Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小58KB，共12页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
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933834760115概述

DIODE 0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS, SMD, 2 PIN, Signal Diode

933834760115规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明O-LELF-R2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-LELF-R2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）260
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装YES
端子面层PURE TIN
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
处于峰值回流温度下的最长时间30
Base Number Matches1

933834760115文档预览

DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
book, halfpage
M3D238
PMLL4148L; PMLL4448
High-speed diodes
Product specification
Supersedes data of 2000 Nov 15
2002 Jan 23
Philips Semiconductors
Product specification
High-speed diodes
FEATURES
•
Small hermetically sealed glass
SMD package
•
High switching speed: max. 4 ns
•
Continuous reverse voltage:
max. 75 V
•
Repetitive peak reverse voltage:
max. 100 V
•
Repetitive peak forward current:
max. 450 mA.
APPLICATIONS
•
High-speed switching
•
Fast logic applications.
The marking band indicates the cathode.
handbook, 4 columns
PMLL4148L; PMLL4448
DESCRIPTION
The PMLL4148L and PMLL4448 are high-speed switching diodes fabricated in
planar technology, and encapsulated in small hermetically sealed glass
SOD80C SMD packages. PMLL4148L was formerly named PMLL4148 and
has no difference to this type in technical specification, processing, packing or
labelling.
k
a
MAM061
Fig.1 Simplified outline (SOD80C) and symbol.
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
SYMBOL
V
RRM
V
R
I
F
I
FRM
I
FSM
PARAMETER
repetitive peak reverse voltage
continuous reverse voltage
continuous forward current
repetitive peak forward current
non-repetitive peak forward current
square wave; T
j
= 25
°C
prior to
surge; see Fig.4
t = 1
µs
t = 1 ms
t=1s
P
tot
T
stg
T
j
Note
1. Device mounted on an FR4 printed-circuit board.
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
T
amb
= 25
°C;
note 1
−
−
−
−
−65
−
4
1
0.5
500
+200
200
A
A
A
mW
°C
°C
see Fig.2; note 1
CONDITIONS
−
−
−
−
MIN.
MAX.
100
75
200
450
V
V
mA
mA
UNIT
2002 Jan 23
2
Philips Semiconductors
Product specification
High-speed diodes
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°C
unless otherwise specified.
SYMBOL
V
F
PARAMETER
forward voltage
PMLL4148L
PMLL4448
I
R
I
R
C
d
t
rr
reverse current
reverse current; PMLL4448
diode capacitance
reverse recovery time
see Fig.3
I
F
= 10 mA
I
F
= 5 mA
I
F
= 100 mA
V
R
= 20 V; see Fig.5
CONDITIONS
PMLL4148L; PMLL4448
MIN.
−
620
−
−
−
1
MAX.
V
UNIT
720
1
25
50
3
4
4
mV
V
nA
µA
µA
pF
ns
V
R
= 20 V; T
j
= 150
°C;
see Fig.5
V
R
= 20 V; T
j
= 100
°C;
see Fig.5
f = 1 MHz; V
R
= 0; see Fig.6
when switched from I
F
= 10 mA to
I
R
= 60 mA; R
L
= 100
Ω;
measured at I
R
= 1 mA; see Fig.7
when switched from I
F
= 50 mA;
t
r
=
20 ns; see Fig.8
V
fr
forward recovery voltage
−
2.5
V
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
R
th j-tp
R
th j-a
Note
1. Device mounted on an FR4 printed-circuit board.
PARAMETER
thermal resistance from junction to tie-point
thermal resistance from junction to ambient
note 1
CONDITIONS
VALUE
300
350
UNIT
K/W
K/W
2002 Jan 23
3
Philips Semiconductors
Product specification
High-speed diodes
GRAPHICAL DATA
PMLL4148L; PMLL4448
handbook, halfpage
300
MBG451
handbook, halfpage
600
MBG464
IF
(mA)
200
IF
(mA)
400
(1)
(2)
(3)
100
200
0
0
100
Tamb (
o
C)
200
0
0
(1) T
j
= 175
°C;
typical values.
(2) T
j
= 25
°C;
typical values.
(3) T
j
= 25
°C;
maximum values.
1
VF (V)
2
Device mounted on an FR4 printed-circuit board.
Fig.2
Maximum permissible continuous forward
current as a function of ambient
temperature.
Fig.3
Forward current as a function of forward
voltage.
10
2
handbook, full pagewidth
IFSM
(A)
MBG704
10
1
10
−1
1
10
10
2
10
3
tp (µs)
10
4
Based on square wave currents.
T
j
= 25
°C
prior to surge.
Fig.4 Maximum permissible non-repetitive peak forward current as a function of pulse duration.
2002 Jan 23
4
Philips Semiconductors
Product specification
High-speed diodes
PMLL4148L; PMLL4448
10
3
handbook, halfpage
IR
(µA)
MGD006
MGD004
handbook, halfpage
1.2
10
2
Cd
(pF)
1.0
(1)
(2)
(3)
10
0.8
1
10
−1
0.6
10
−2
0
100
Tj ( C)
o
200
0.4
0
10
VR (V)
20
(1) V
R
= 75 V; maximum values.
(2) V
R
= 75 V; typical values.
(3) V
R
= 20 V; typical values.
f = 1 MHz; T
j
= 25
°C.
Fig.5
Reverse current as a function of junction
temperature.
Fig.6
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
2002 Jan 23
5
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933834760115相似产品对比

933834760115 933930220115 933930220135 933834760135
描述 DIODE 0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS, SMD, 2 PIN, Signal Diode 0.2A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS, SMD, 2 PIN 0.2A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS, SMD, 2 PIN DIODE 0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS, SMD, 2 PIN, Signal Diode
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
包装说明 O-LELF-R2 O-LELF-R2 O-LELF-R2 O-LELF-R2
针数 2 2 2 2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 O-LELF-R2 O-LELF-R2 O-LELF-R2 O-LELF-R2
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3
湿度敏感等级 1 1 1 1
元件数量 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C
最大输出电流 0.2 A 0.2 A 0.2 A 0.2 A
封装主体材料 GLASS GLASS GLASS GLASS
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度） 260 260 260 260
最大功率耗散 0.5 W 0.5 W 0.5 W 0.5 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 100 V 100 V 100 V 100 V
最大反向恢复时间 0.004 µs 0.004 µs 0.004 µs 0.004 µs
表面贴装 YES YES YES YES
端子面层 PURE TIN PURE TIN PURE TIN PURE TIN
端子形式 WRAP AROUND WRAP AROUND WRAP AROUND WRAP AROUND
端子位置 END END END END
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30 30
厂商名称 - NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)

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热门器件

  1. SMLC65C-2
  2. HC49J/1L0BF6.0MHZ
  3. MS27473T8F35AN
  4. 199D476X9025E6B1
  5. ATS-19D-117-C2-R0
  6. 195-10MS-N
  7. KX14-50N2C1
  8. 8614-00-11-1-LO-15-326-LF
  9. C3030WRA-S-F1-2x8P
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