IDT70V631S12BCG8,IDT70V631S12BCG8 pdf中文资料,IDT70V631S12BCG8引脚图,IDT70V631S12BCG8电路-Datasheet-电子工程世界

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IDT70V631S12BCG8: 产品描述Dual-Port SRAM, 256KX18, 12ns, CMOS, PBGA256, BGA-256; 产品类别存储存储; 文件大小307KB，共23页; 制造商IDT (Integrated Device Technology); 标准

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IDT70V631S12BCG8概述

Dual-Port SRAM, 256KX18, 12ns, CMOS, PBGA256, BGA-256

IDT70V631S12BCG8规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	BGA
包装说明	LBGA,
针数	256
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	12 ns
JESD-30 代码	S-PBGA-B256
JESD-609代码	e1
长度	17 mm
内存密度	4718592 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	18
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	256
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX18
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LBGA
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.5 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.45 V
最小供电电压 (Vsup)	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	17 mm
Base Number Matches	1

IDT70V631S12BCG8相似产品对比

	IDT70V631S12BCG8	IDT70V631S12PRFGI8	IDT70V631S15PRFG8	IDT70V631S10PRFG8	IDT70V631S15BFG8	IDT70V631S12PRFG8	IDT70V631S12BFG8	WBDDSS8-A-01-1580-C-D	IDT70V631S12BCGI8
描述	Dual-Port SRAM, 256KX18, 12ns, CMOS, PBGA256, BGA-256	Dual-Port SRAM, 256KX18, 12ns, CMOS, PQFP128, TQFP-128	Dual-Port SRAM, 256KX18, 15ns, CMOS, PQFP128, TQFP-128	Dual-Port SRAM, 256KX18, 10ns, CMOS, PQFP128, TQFP-128	Dual-Port SRAM, 256KX18, 15ns, CMOS, PBGA208, FPBGA-208	Dual-Port SRAM, 256KX18, 12ns, CMOS, PQFP128, TQFP-128	Dual-Port SRAM, 256KX18, 12ns, CMOS, PBGA208, FPBGA-208	Array/Network Resistor, Isolated, 0.1W, 158ohm, 100V, 0.25% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, 1408,	Dual-Port SRAM, 256KX18, 12ns, CMOS, PBGA256, BGA-256
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	EAR99	3A991.B.2.A
端子数量	256	128	128	128	208	128	208	16	256
最高工作温度	70 °C	85 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	150 °C	85 °C
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	SMT	GRID ARRAY, LOW PROFILE
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	-	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	-	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	-	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	BGA	QFP	QFP	QFP	BGA	QFP	BGA	-	BGA
包装说明	LBGA,	LFQFP,	LFQFP,	LFQFP,	TFBGA,	LFQFP,	TFBGA,	-	LBGA,
针数	256	128	128	128	208	128	208	-	256
最长访问时间	12 ns	12 ns	15 ns	10 ns	15 ns	12 ns	12 ns	-	12 ns
JESD-30 代码	S-PBGA-B256	R-PQFP-G128	R-PQFP-G128	R-PQFP-G128	S-PBGA-B208	R-PQFP-G128	S-PBGA-B208	-	S-PBGA-B256
JESD-609代码	e1	e3	e3	e3	e1	e3	e1	-	e1
长度	17 mm	20 mm	20 mm	20 mm	15 mm	20 mm	15 mm	-	17 mm
内存密度	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	-	4718592 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	-	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	18	18	18	18	18	18	18	-	18
湿度敏感等级	3	3	3	3	3	3	3	-	3
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	-	1
字数	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	-	262144 words
字数代码	256000	256000	256000	256000	256000	256000	256000	-	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	-	ASYNCHRONOUS
组织	256KX18	256KX18	256KX18	256KX18	256KX18	256KX18	256KX18	-	256KX18
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LBGA	LFQFP	LFQFP	LFQFP	TFBGA	LFQFP	TFBGA	-	LBGA
封装形状	SQUARE	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	SQUARE	RECTANGULAR	SQUARE	-	SQUARE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	-	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	260	260	-	260
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified
座面最大高度	1.5 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.2 mm	1.6 mm	1.2 mm	-	1.5 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.45 V	3.45 V	3.45 V	3.45 V	3.45 V	3.45 V	3.45 V	-	3.45 V
最小供电电压 (Vsup)	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	-	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	-	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	-	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	-	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	-	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	MATTE TIN	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	-	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL	GULL WING	GULL WING	GULL WING	BALL	GULL WING	BALL	-	BALL
端子节距	1 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.8 mm	0.5 mm	0.8 mm	-	1 mm
端子位置	BOTTOM	QUAD	QUAD	QUAD	BOTTOM	QUAD	BOTTOM	-	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30	30	30	30	-	30
宽度	17 mm	14 mm	14 mm	14 mm	15 mm	14 mm	15 mm	-	17 mm
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	-	-

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