IC,EEPROM,2KX8,MOS,DIP,24PIN,CERAMIC
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | National Semiconductor(TI ) |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 最长访问时间 | 350 ns |
| 命令用户界面 | NO |
| 数据轮询 | NO |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T24 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 16384 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 端子数量 | 24 |
| 字数 | 2048 words |
| 字数代码 | 2000 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 2KX8 |
| 封装主体材料 | CERAMIC |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP24,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 最大待机电流 | 0.05 A |
| 最大压摆率 | 0.11 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | MOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 切换位 | NO |
| Base Number Matches | 1 |
| NMC9716MJ35/883B | NMC9716MJ35/883C | NMC9716MJ45 | NMC9716J25 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | IC,EEPROM,2KX8,MOS,DIP,24PIN,CERAMIC | IC,EEPROM,2KX8,MOS,DIP,24PIN,CERAMIC | IC,EEPROM,2KX8,MOS,DIP,24PIN,CERAMIC | IC,EEPROM,2KX8,MOS,DIP,24PIN,CERAMIC |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | National Semiconductor(TI ) | National Semiconductor(TI ) | National Semiconductor(TI ) | National Semiconductor(TI ) |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant |
| 最长访问时间 | 350 ns | 350 ns | 450 ns | 250 ns |
| 命令用户界面 | NO | NO | NO | NO |
| 数据轮询 | NO | NO | NO | NO |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T24 | R-XDIP-T24 | R-XDIP-T24 | R-XDIP-T24 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 内存密度 | 16384 bit | 16384 bit | 16384 bit | 16384 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM | EEPROM | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 端子数量 | 24 | 24 | 24 | 24 |
| 字数 | 2048 words | 2048 words | 2048 words | 2048 words |
| 字数代码 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 70 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | - |
| 组织 | 2KX8 | 2KX8 | 2KX8 | 2KX8 |
| 封装主体材料 | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC |
| 封装代码 | DIP | DIP | DIP | DIP |
| 封装等效代码 | DIP24,.6 | DIP24,.6 | DIP24,.6 | DIP24,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.05 A | 0.05 A | 0.05 A | 0.05 A |
| 最大压摆率 | 0.11 mA | 0.11 mA | 0.11 mA | 0.11 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
| 技术 | MOS | MOS | MOS | MOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
| 切换位 | NO | NO | NO | NO |
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