3SK253-U1G-A,3SK253-U1G-A pdf中文资料,3SK253-U1G-A引脚图,3SK253-U1G-A电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 3SK253-U1G-A

3SK253-U1G-A: 产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, MINIMOLD PACKAGE-4; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小47KB，共6页; 制造商NEC(日电); 标准

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3SK253-U1G-A概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, MINIMOLD PACKAGE-4

3SK253-U1G-A规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	NEC(日电)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数	4
Reach Compliance Code	compliant
其他特性	LOW NOISE
配置	SINGLE
最大漏极电流 (ID)	0.025 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	0.03 pF
最高频带	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码	R-PDSO-G4
JESD-609代码	e6
元件数量	1
端子数量	4
工作模式	DUAL GATE, DEPLETION MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)	15 dB
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	TIN BISMUTH
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

3SK253-U1G-A相似产品对比

	3SK253-U1G-A	3SK253-UAG-A	3SK253-UAG	3SK253-U1G
描述	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, MINIMOLD PACKAGE-4	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, MINIMOLD PACKAGE-4	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, MINIMOLD PACKAGE-4	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, MINIMOLD PACKAGE-4
是否Rohs认证	符合	符合	不符合	不符合
厂商名称	NEC(日电)	NEC(日电)	NEC(日电)	NEC(日电)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数	4	4	4	4
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最大漏极电流 (ID)	0.025 A	0.025 A	0.025 A	0.025 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	0.03 pF	0.03 pF	0.03 pF	0.03 pF
最高频带	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码	R-PDSO-G4	R-PDSO-G4	R-PDSO-G4	R-PDSO-G4
JESD-609代码	e6	e6	e0	e0
元件数量	1	1	1	1
端子数量	4	4	4	4
工作模式	DUAL GATE, DEPLETION MODE	DUAL GATE, DEPLETION MODE	DUAL GATE, DEPLETION MODE	DUAL GATE, DEPLETION MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)	15 dB	15 dB	15 dB	15 dB
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES
端子面层	TIN BISMUTH	TIN BISMUTH	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1	1	1

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器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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