Cache SRAM, 512KX8, 4.2ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Micron Technology |
零件包装代码 | QFP |
包装说明 | PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100 |
针数 | 100 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
最长访问时间 | 4.2 ns |
最大时钟频率 (fCLK) | 133 MHz |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PQFP-G100 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 20 mm |
内存密度 | 4194304 bit |
内存集成电路类型 | CACHE SRAM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 100 |
字数 | 524288 words |
字数代码 | 512000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 512KX8 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | LQFP |
封装等效代码 | QFP100,.63X.87 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLATPACK, LOW PROFILE |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 235 |
电源 | 3.3 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.6 mm |
最大待机电流 | 0.01 A |
最小待机电流 | 3.14 V |
最大压摆率 | 0.375 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3.135 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 0.65 mm |
端子位置 | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
宽度 | 14 mm |
Base Number Matches | 1 |
MT58L128L32DT-7.5 | MT58L128L36DB-7.5 | MT58L128L32DB-6 | MT58L128L32DB-7.5 | MT58L256L18DB-7.5 | MT58L128L36DT-7.5 | MT58L256L18DT-7.5 | |
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描述 | Cache SRAM, 512KX8, 4.2ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100 | Standard SRAM, 512KX9, 4.2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 | Standard SRAM, 512KX8, 3.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 | Standard SRAM, 512KX8, 4.2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 | Standard SRAM, 512KX9, 4.2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 | Cache SRAM, 512KX9, 4.2ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100 | Cache SRAM, 512KX9, 4.2ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Micron Technology | Micron Technology | Micron Technology | Micron Technology | Micron Technology | Micron Technology | Micron Technology |
零件包装代码 | QFP | BGA | BGA | BGA | BGA | QFP | QFP |
包装说明 | PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100 | 14 X 22 MM, BGA-119 | 14 X 22 MM, BGA-119 | 14 X 22 MM, BGA-119 | 14 X 22 MM, BGA-119 | PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100 | PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100 |
针数 | 100 | 119 | 119 | 119 | 119 | 100 | 100 |
Reach Compliance Code | unknown | _compli | unknown | unknown | unknown | not_compliant | _compli |
ECCN代码 | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A |
最长访问时间 | 4.2 ns | 4.2 ns | 3.5 ns | 4.2 ns | 4.2 ns | 4.2 ns | 4.2 ns |
最大时钟频率 (fCLK) | 133 MHz | 133 MHz | 166 MHz | 133 MHz | 133 MHz | 133 MHz | 133 MHz |
I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PQFP-G100 | R-PBGA-B119 | R-PBGA-B119 | R-PBGA-B119 | R-PBGA-B119 | R-PQFP-G100 | R-PQFP-G100 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 |
长度 | 20 mm | 22 mm | 22 mm | 22 mm | 22 mm | 20 mm | 20 mm |
内存密度 | 4194304 bit | 4718592 bi | 4194304 bit | 4194304 bit | 4718592 bit | 4718592 bit | 4718592 bi |
内存集成电路类型 | CACHE SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | CACHE SRAM | CACHE SRAM |
内存宽度 | 8 | 9 | 8 | 8 | 9 | 9 | 9 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 100 | 119 | 119 | 119 | 119 | 100 | 100 |
字数 | 524288 words | 524288 words | 524288 words | 524288 words | 524288 words | 524288 words | 524288 words |
字数代码 | 512000 | 512000 | 512000 | 512000 | 512000 | 512000 | 512000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
组织 | 512KX8 | 512KX9 | 512KX8 | 512KX8 | 512KX9 | 512KX9 | 512KX9 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | LQFP | BGA | BGA | BGA | BGA | LQFP | LQFP |
封装等效代码 | QFP100,.63X.87 | BGA119,7X17,50 | BGA119,7X17,50 | BGA119,7X17,50 | BGA119,7X17,50 | QFP100,.63X.87 | QFP100,.63X.87 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLATPACK, LOW PROFILE | GRID ARRAY | GRID ARRAY | GRID ARRAY | GRID ARRAY | FLATPACK, LOW PROFILE | FLATPACK, LOW PROFILE |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 235 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | 235 |
电源 | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.6 mm | 2.4 mm | 2.4 mm | 2.4 mm | 2.4 mm | 1.6 mm | 1.6 mm |
最大待机电流 | 0.01 A | 0.01 A | 0.01 A | 0.01 A | 0.01 A | 0.01 A | 0.01 A |
最小待机电流 | 3.14 V | 3.14 V | 3.14 V | 3.14 V | 3.14 V | 3.14 V | 3.14 V |
最大压摆率 | 0.375 mA | 0.375 mA | 0.475 mA | 0.375 mA | 0.375 mA | 0.375 mA | 0.375 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3.135 V | 3.135 V | 3.135 V | 3.135 V | 3.135 V | 3.135 V | 3.135 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
表面贴装 | YES | YES | YES | YES | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING | BALL | BALL | BALL | BALL | GULL WING | GULL WING |
端子节距 | 0.65 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 0.65 mm | 0.65 mm |
端子位置 | QUAD | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | QUAD | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | 30 |
宽度 | 14 mm | 14 mm | 14 mm | 14 mm | 14 mm | 14 mm | 14 mm |
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