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MT58L128L32DT-7.5

产品描述Cache SRAM, 512KX8, 4.2ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100
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文件大小917KB,共23页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
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MT58L128L32DT-7.5概述

Cache SRAM, 512KX8, 4.2ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100

MT58L128L32DT-7.5规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Micron Technology
零件包装代码QFP
包装说明PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100
针数100
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间4.2 ns
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PQFP-G100
JESD-609代码e0
长度20 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量100
字数524288 words
字数代码512000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装等效代码QFP100,.63X.87
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)235
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大待机电流0.01 A
最小待机电流3.14 V
最大压摆率0.375 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度14 mm
Base Number Matches1

MT58L128L32DT-7.5相似产品对比

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描述 Cache SRAM, 512KX8, 4.2ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100 Standard SRAM, 512KX9, 4.2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 Standard SRAM, 512KX8, 3.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 Standard SRAM, 512KX8, 4.2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 Standard SRAM, 512KX9, 4.2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 Cache SRAM, 512KX9, 4.2ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100 Cache SRAM, 512KX9, 4.2ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology
零件包装代码 QFP BGA BGA BGA BGA QFP QFP
包装说明 PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100 14 X 22 MM, BGA-119 14 X 22 MM, BGA-119 14 X 22 MM, BGA-119 14 X 22 MM, BGA-119 PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100 PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100
针数 100 119 119 119 119 100 100
Reach Compliance Code unknown _compli unknown unknown unknown not_compliant _compli
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 4.2 ns 4.2 ns 3.5 ns 4.2 ns 4.2 ns 4.2 ns 4.2 ns
最大时钟频率 (fCLK) 133 MHz 133 MHz 166 MHz 133 MHz 133 MHz 133 MHz 133 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PQFP-G100 R-PBGA-B119 R-PBGA-B119 R-PBGA-B119 R-PBGA-B119 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 20 mm 22 mm 22 mm 22 mm 22 mm 20 mm 20 mm
内存密度 4194304 bit 4718592 bi 4194304 bit 4194304 bit 4718592 bit 4718592 bit 4718592 bi
内存集成电路类型 CACHE SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM
内存宽度 8 9 8 8 9 9 9
功能数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 100 119 119 119 119 100 100
字数 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words
字数代码 512000 512000 512000 512000 512000 512000 512000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 512KX8 512KX9 512KX8 512KX8 512KX9 512KX9 512KX9
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LQFP BGA BGA BGA BGA LQFP LQFP
封装等效代码 QFP100,.63X.87 BGA119,7X17,50 BGA119,7X17,50 BGA119,7X17,50 BGA119,7X17,50 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK, LOW PROFILE GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 235 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 235
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.6 mm 2.4 mm 2.4 mm 2.4 mm 2.4 mm 1.6 mm 1.6 mm
最大待机电流 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A
最小待机电流 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V
最大压摆率 0.375 mA 0.375 mA 0.475 mA 0.375 mA 0.375 mA 0.375 mA 0.375 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING BALL BALL BALL BALL GULL WING GULL WING
端子节距 0.65 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 0.65 mm 0.65 mm
端子位置 QUAD BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 30 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 30
宽度 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm

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