MT58L128L32DB-7.5,MT58L128L32DB-7.5 pdf中文资料,MT58L128L32DB-7.5引脚图,MT58L128L32DB-7.5电路-Datasheet-电子工程世界

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MT58L128L32DB-7.5: 产品描述Standard SRAM, 512KX8, 4.2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119; 产品类别存储存储; 文件大小917KB，共23页; 制造商Micron Technology; 官网地址http://www.mdtic.com.tw/

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MT58L128L32DB-7.5概述

Standard SRAM, 512KX8, 4.2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119

MT58L128L32DB-7.5规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Micron Technology
零件包装代码	BGA
包装说明	14 X 22 MM, BGA-119
针数	119
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	4.2 ns
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B119
JESD-609代码	e0
长度	22 mm
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	119
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	512KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装等效代码	BGA119,7X17,50
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	2.4 mm
最大待机电流	0.01 A
最小待机电流	3.14 V
最大压摆率	0.375 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	1.27 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	14 mm
Base Number Matches	1

MT58L128L32DB-7.5相似产品对比

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描述	Standard SRAM, 512KX8, 4.2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119	Standard SRAM, 512KX9, 4.2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119	Standard SRAM, 512KX8, 3.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119	Cache SRAM, 512KX8, 4.2ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100	Standard SRAM, 512KX9, 4.2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119	Cache SRAM, 512KX9, 4.2ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100	Cache SRAM, 512KX9, 4.2ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	QFP	BGA	QFP	QFP
包装说明	14 X 22 MM, BGA-119	14 X 22 MM, BGA-119	14 X 22 MM, BGA-119	PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100	14 X 22 MM, BGA-119	PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100	PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100
针数	119	119	119	100	119	100	100
Reach Compliance Code	unknown	_compli	unknown	unknown	unknown	not_compliant	_compli
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	4.2 ns	4.2 ns	3.5 ns	4.2 ns	4.2 ns	4.2 ns	4.2 ns
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz	133 MHz	166 MHz	133 MHz	133 MHz	133 MHz	133 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PQFP-G100	R-PBGA-B119	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	22 mm	22 mm	22 mm	20 mm	22 mm	20 mm	20 mm
内存密度	4194304 bit	4718592 bi	4194304 bit	4194304 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	CACHE SRAM	STANDARD SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM
内存宽度	8	9	8	8	9	9	9
功能数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	119	119	119	100	119	100	100
字数	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words
字数代码	512000	512000	512000	512000	512000	512000	512000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	512KX8	512KX9	512KX8	512KX8	512KX9	512KX9	512KX9
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	BGA	BGA	LQFP	BGA	LQFP	LQFP
封装等效代码	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50	QFP100,.63X.87	BGA119,7X17,50	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	FLATPACK, LOW PROFILE	GRID ARRAY	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	235	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	235
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	2.4 mm	2.4 mm	2.4 mm	1.6 mm	2.4 mm	1.6 mm	1.6 mm
最大待机电流	0.01 A	0.01 A	0.01 A	0.01 A	0.01 A	0.01 A	0.01 A
最小待机电流	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V
最大压摆率	0.375 mA	0.375 mA	0.475 mA	0.375 mA	0.375 mA	0.375 mA	0.375 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL	BALL	BALL	GULL WING	BALL	GULL WING	GULL WING
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	0.65 mm	1.27 mm	0.65 mm	0.65 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	QUAD	BOTTOM	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	30	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	30
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm

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