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HY51V18163HGJ

产品描述1M x 16Bit EDO DRAM
文件大小86KB,共12页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY51V18163HGJ概述

1M x 16Bit EDO DRAM

HY51V18163HGJ相似产品对比

HY51V18163HGJ HY51V18163HGJ-5 HY51V18163HGJ-6 HY51V18163HGJ-7 HY51V18163HGT HY51V18163HGT-6 HY51V18163HGT-5 HY51V18163HGT-7 HY51VS18163HG
描述 1M x 16Bit EDO DRAM 1M x 16Bit EDO DRAM 1M x 16Bit EDO DRAM 1M x 16Bit EDO DRAM 1M x 16Bit EDO DRAM 1M x 16Bit EDO DRAM 1M x 16Bit EDO DRAM 1M x 16Bit EDO DRAM 1M x 16Bit EDO DRAM
是否Rohs认证 - 不符合 不符合 不符合 - 不符合 不符合 不符合 -
厂商名称 - SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) - SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) -
零件包装代码 - SOJ SOJ SOJ - TSOP2 TSOP2 TSOP2 -
包装说明 - SOJ, SOJ42,.44 SOJ, SOJ42,.44 SOJ, SOJ42,.44 - TSOP2, TSOP44/50,.46,32 TSOP2, TSOP44/50,.46,32 TSOP2, TSOP44/50,.46,32 -
针数 - 42 42 42 - 50 50 50 -
Reach Compliance Code - compli compli compli - compli compli compli -
ECCN代码 - EAR99 EAR99 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99 -
访问模式 - FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO - FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO -
最长访问时间 - 50 ns 60 ns 70 ns - 60 ns 50 ns 70 ns -
其他特性 - RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH - RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH -
I/O 类型 - COMMON COMMON COMMON - COMMON COMMON COMMON -
JESD-30 代码 - R-PDSO-J42 R-PDSO-J42 R-PDSO-J42 - R-PDSO-G44 R-PDSO-G44 R-PDSO-G44 -
JESD-609代码 - e0 e0 e0 - e0 e0 e0 -
长度 - 27.06 mm 27.06 mm 27.06 mm - 20.95 mm 20.95 mm 20.95 mm -
内存密度 - 16777216 bi 16777216 bi 16777216 bi - 16777216 bi 16777216 bi 16777216 bi -
内存集成电路类型 - EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM - EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM -
内存宽度 - 16 16 16 - 16 16 16 -
功能数量 - 1 1 1 - 1 1 1 -
端口数量 - 1 1 1 - 1 1 1 -
端子数量 - 42 42 42 - 44 44 44 -
字数 - 1048576 words 1048576 words 1048576 words - 1048576 words 1048576 words 1048576 words -
字数代码 - 1000000 1000000 1000000 - 1000000 1000000 1000000 -
工作模式 - ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS -
最高工作温度 - 70 °C 70 °C 70 °C - 70 °C 70 °C 70 °C -
组织 - 1MX16 1MX16 1MX16 - 1MX16 1MX16 1MX16 -
输出特性 - 3-STATE 3-STATE 3-STATE - 3-STATE 3-STATE 3-STATE -
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装代码 - SOJ SOJ SOJ - TSOP2 TSOP2 TSOP2 -
封装等效代码 - SOJ42,.44 SOJ42,.44 SOJ42,.44 - TSOP44/50,.46,32 TSOP44/50,.46,32 TSOP44/50,.46,32 -
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE -
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
电源 - 3.3 V 3.3 V 3.3 V - 3.3 V 3.3 V 3.3 V -
认证状态 - Not Qualified Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
刷新周期 - 1024 1024 1024 - 1024 1024 1024 -
座面最大高度 - 3.76 mm 3.76 mm 3.76 mm - 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm -
自我刷新 - NO NO NO - NO NO NO -
最大待机电流 - 0.001 A 0.001 A 0.001 A - 0.001 A 0.001 A 0.001 A -
最大压摆率 - 0.19 mA 0.17 mA 0.15 mA - 0.17 mA 0.19 mA 0.15 mA -
最大供电电压 (Vsup) - 3.6 V 3.6 V 3.6 V - 3.6 V 3.6 V 3.6 V -
最小供电电压 (Vsup) - 3 V 3 V 3 V - 3 V 3 V 3 V -
标称供电电压 (Vsup) - 3.3 V 3.3 V 3.3 V - 3.3 V 3.3 V 3.3 V -
表面贴装 - YES YES YES - YES YES YES -
技术 - CMOS CMOS CMOS - CMOS CMOS CMOS -
温度等级 - COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL - COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL -
端子面层 - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) -
端子形式 - J BEND J BEND J BEND - GULL WING GULL WING GULL WING -
端子节距 - 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm - 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm -
端子位置 - DUAL DUAL DUAL - DUAL DUAL DUAL -
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
宽度 - 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm - 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm -

 
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