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M1MA151WAT1

产品描述Common Anode Silicon Dual Switching Diodes
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小66KB,共6页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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M1MA151WAT1概述

Common Anode Silicon Dual Switching Diodes

M1MA151WAT1规格参数

参数名称属性值
厂商名称Motorola ( NXP )
零件包装代码SC-59
包装说明R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
配置COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.2 V
JESD-30 代码R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流0.5 A
元件数量2
端子数量3
最高工作温度150 °C
最大输出电流0.1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大功率耗散0.2 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压40 V
最大反向电流0.1 µA
最大反向恢复时间0.01 µs
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL

M1MA151WAT1相似产品对比

M1MA151WAT1 M1MA152WAT1 M1MA152WA
描述 Common Anode Silicon Dual Switching Diodes Common Anode Silicon Dual Switching Diodes Common Anode Silicon Dual Switching Diodes
厂商名称 Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP ) -
零件包装代码 SC-59 SC-59 -
包装说明 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 -
针数 3 3 -
Reach Compliance Code unknow unknow -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
配置 COMMON ANODE, 2 ELEMENTS COMMON ANODE, 2 ELEMENTS -
二极管元件材料 SILICON SILICON -
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE -
最大正向电压 (VF) 1.2 V 1.2 V -
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 -
最大非重复峰值正向电流 0.5 A 0.5 A -
元件数量 2 2 -
端子数量 3 3 -
最高工作温度 150 °C 150 °C -
最大输出电流 0.1 A 0.1 A -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE -
最大功率耗散 0.2 W 0.2 W -
认证状态 Not Qualified Not Qualified -
最大重复峰值反向电压 40 V 80 V -
最大反向电流 0.1 µA 0.1 µA -
最大反向恢复时间 0.01 µs 0.01 µs -
表面贴装 YES YES -
端子形式 GULL WING GULL WING -
端子位置 DUAL DUAL -

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