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M1MA152WAT1

产品描述Common Anode Silicon Dual Switching Diodes
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小66KB,共6页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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M1MA152WAT1概述

Common Anode Silicon Dual Switching Diodes

M1MA152WAT1规格参数

参数名称属性值
厂商名称Motorola ( NXP )
零件包装代码SC-59
包装说明R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
配置COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.2 V
JESD-30 代码R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流0.5 A
元件数量2
端子数量3
最高工作温度150 °C
最大输出电流0.1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大功率耗散0.2 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压80 V
最大反向电流0.1 µA
最大反向恢复时间0.01 µs
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL

M1MA152WAT1相似产品对比

M1MA152WAT1 M1MA152WA M1MA151WAT1
描述 Common Anode Silicon Dual Switching Diodes Common Anode Silicon Dual Switching Diodes Common Anode Silicon Dual Switching Diodes
厂商名称 Motorola ( NXP ) - Motorola ( NXP )
零件包装代码 SC-59 - SC-59
包装说明 R-PDSO-G3 - R-PDSO-G3
针数 3 - 3
Reach Compliance Code unknow - unknow
ECCN代码 EAR99 - EAR99
配置 COMMON ANODE, 2 ELEMENTS - COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON - SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.2 V - 1.2 V
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 - R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流 0.5 A - 0.5 A
元件数量 2 - 2
端子数量 3 - 3
最高工作温度 150 °C - 150 °C
最大输出电流 0.1 A - 0.1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE
最大功率耗散 0.2 W - 0.2 W
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
最大重复峰值反向电压 80 V - 40 V
最大反向电流 0.1 µA - 0.1 µA
最大反向恢复时间 0.01 µs - 0.01 µs
表面贴装 YES - YES
端子形式 GULL WING - GULL WING
端子位置 DUAL - DUAL

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