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CAT28C512LI-12: 产品描述64KX8 EEPROM 5V, 120ns, PDIP32, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, DIP-32; 产品类别存储存储; 文件大小76KB，共12页; 制造商ON Semiconductor(安森美); 官网地址http://www.onsemi.cn

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CAT28C512LI-12概述

64KX8 EEPROM 5V, 120ns, PDIP32, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, DIP-32

CAT28C512LI-12规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP,
针数	32
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	120 ns
JESD-30 代码	R-PDIP-T32
JESD-609代码	e3
长度	42.03 mm
内存密度	524288 bit
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	32
字数	65536 words
字数代码	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	64KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
编程电压	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	TIN
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
宽度	15.24 mm
最长写入周期时间 (tWC)	5 ms
Base Number Matches	1

CAT28C512LI-12相似产品对比

	CAT28C512LI-12	CAT28C512GI-12	CAT28C512HI-12	CAT28C512LI-15	CAT28C512HI-15	CAT28C512TI-12	CAT28C512GI-15	CAT28C512TI-15
描述	64KX8 EEPROM 5V, 120ns, PDIP32, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, DIP-32	64KX8 EEPROM 5V, 120ns, PQCC32, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, LCC-32	64KX8 EEPROM 5V, 120ns, PDSO32, 8 X 20 MM, LEAD AND HALOGEN FREE, TSOP-32	IC 64K X 8 EEPROM 5V, 150 ns, PDIP32, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, DIP-32, Programmable ROM	64KX8 EEPROM 5V, 150ns, PDSO32, 8 X 20 MM, LEAD AND HALOGEN FREE, TSOP-32	64KX8 EEPROM 5V, 120ns, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP-32	64KX8 EEPROM 5V, 150ns, PQCC32, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, LCC-32	64KX8 EEPROM 5V, 150ns, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP-32
零件包装代码	DIP	QFJ	TSOP	DIP	TSOP	TSOP	QFJ	TSOP
包装说明	DIP,	QCCJ, LDCC32,.5X.6	TSOP1, TSSOP32,.8,20	DIP,	TSOP1, TSSOP32,.8,20	TSOP1, TSSOP32,.8,20	QCCJ, LDCC32,.5X.6	TSOP1, TSSOP32,.8,20
针数	32	32	32	32	32	32	32	32
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	compliant	unknown	unknown	not_compliant
最长访问时间	120 ns	120 ns	120 ns	150 ns	150 ns	120 ns	150 ns	150 ns
JESD-30 代码	R-PDIP-T32	R-PQCC-J32	R-PDSO-G32	R-PDIP-T32	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32	R-PQCC-J32	R-PDSO-G32
长度	42.03 mm	13.97 mm	18.4 mm	42.03 mm	18.4 mm	18.4 mm	13.97 mm	18.4 mm
内存密度	524288 bit	524288 bit	524288 bit	524288 bit	524288 bit	524288 bit	524288 bit	524288 bit
内存集成电路类型	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	32	32	32	32	32	32	32	32
字数	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words
字数代码	64000	64000	64000	64000	64000	64000	64000	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	64KX8	64KX8	64KX8	64KX8	64KX8	64KX8	64KX8	64KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	QCCJ	TSOP1	DIP	TSOP1	TSOP1	QCCJ	TSOP1
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	CHIP CARRIER	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	IN-LINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	CHIP CARRIER	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
编程电压	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm	3.55 mm	1.2 mm	5.08 mm	1.2 mm	1.2 mm	3.55 mm	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	YES	YES	NO	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	THROUGH-HOLE	J BEND	GULL WING	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING	J BEND	GULL WING
端子节距	2.54 mm	1.27 mm	0.5 mm	2.54 mm	0.5 mm	0.5 mm	1.27 mm	0.5 mm
端子位置	DUAL	QUAD	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	QUAD	DUAL
宽度	15.24 mm	11.43 mm	8 mm	15.24 mm	8 mm	8 mm	11.43 mm	8 mm
最长写入周期时间 (tWC)	5 ms	5 ms	5 ms	5 ms	5 ms	5 ms	5 ms	5 ms
厂商名称	ON Semiconductor(安森美)	ON Semiconductor(安森美)	ON Semiconductor(安森美)	ON Semiconductor(安森美)	-	-	ON Semiconductor(安森美)	ON Semiconductor(安森美)
JESD-609代码	e3	e3	e3	e3	e3	-	e3	-
端子面层	TIN	TIN	TIN	TIN	TIN	-	TIN	-
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	-	-
是否Rohs认证	-	符合	符合	-	符合	不符合	符合	不符合
命令用户界面	-	NO	NO	-	NO	NO	NO	NO
数据轮询	-	YES	YES	-	YES	YES	YES	YES
耐久性	-	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles	-	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles
封装等效代码	-	LDCC32,.5X.6	TSSOP32,.8,20	-	TSSOP32,.8,20	TSSOP32,.8,20	LDCC32,.5X.6	TSSOP32,.8,20
页面大小	-	128 words	128 words	-	128 words	128 words	128 words	128 words
电源	-	5 V	5 V	-	5 V	5 V	5 V	5 V
最大待机电流	-	0.0002 A	0.0002 A	-	0.0002 A	0.0002 A	0.0002 A	0.0002 A
最大压摆率	-	0.05 mA	0.05 mA	-	0.05 mA	0.05 mA	0.05 mA	0.05 mA
切换位	-	YES	YES	-	YES	YES	YES	YES

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