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KM416V4104A-L6

产品描述EDO DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50, TSOP2-50
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文件大小49KB,共1页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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KM416V4104A-L6概述

EDO DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50, TSOP2-50

KM416V4104A-L6规格参数

参数名称属性值
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码TSOP2
包装说明SOP,
针数50
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间60 ns
JESD-30 代码R-PDSO-G50
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量50
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
组织4MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
Base Number Matches1
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