Standard SRAM, 64KX8, 10ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) |
| 零件包装代码 | SOJ |
| 包装说明 | SOJ, |
| 针数 | 44 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.B |
| 最长访问时间 | 10 ns |
| 备用内存宽度 | 16 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-J44 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 28.58 mm |
| 内存密度 | 524288 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 8 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 44 |
| 字数 | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 64KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 可输出 | YES |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOJ |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 3.76 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 10.16 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| IS61C3216-10KI | IS61C3216-10TI | |
|---|---|---|
| 描述 | Standard SRAM, 64KX8, 10ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44 | Standard SRAM, 64KX8, 10ns, CMOS, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44 |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) |
| 零件包装代码 | SOJ | TSOP2 |
| 包装说明 | SOJ, | TSOP2, |
| 针数 | 44 | 44 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.B | 3A991.B.2.B |
| 最长访问时间 | 10 ns | 10 ns |
| 备用内存宽度 | 16 | 16 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-J44 | R-PDSO-G44 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 长度 | 28.58 mm | 18.41 mm |
| 内存密度 | 524288 bit | 524288 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 8 | 8 |
| 湿度敏感等级 | 3 | 3 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 44 | 44 |
| 字数 | 65536 words | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 | 64000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
| 组织 | 64KX8 | 64KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
| 可输出 | YES | YES |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOJ | TSOP2 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 3.76 mm | 1.2 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD |
| 端子形式 | J BEND | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm | 0.8 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 10.16 mm | 10.16 mm |
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