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5962-9754501QXA

产品描述Synchronous DRAM, 1MX16, 15ns, CMOS, CDFP50, CERAMIC, DFP-50
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文件大小539KB,共51页
制造商Micross
官网地址https://www.micross.com
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5962-9754501QXA概述

Synchronous DRAM, 1MX16, 15ns, CMOS, CDFP50, CERAMIC, DFP-50

5962-9754501QXA规格参数

参数名称属性值
零件包装代码DFP
包装说明DFP, FL50,.67,32
针数50
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间15 ns
其他特性AUTO REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)66 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码R-CDFP-F50
JESD-609代码e0
长度21 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量50
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织1MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DFP
封装等效代码FL50,.67,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
电源3.3 V
认证状态Qualified
刷新周期4096
筛选级别MIL-PRF-38535 Class Q
座面最大高度3.55 mm
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大待机电流0.002 A
最大压摆率0.175 mA
最大供电电压 (Vsup)3.465 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层TIN LEAD
端子形式FLAT
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
宽度16.5 mm
Base Number Matches1

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REVISIONS
LTR
A
DESCRIPTION
Updated boilerplate. Added device type 03 to drawing. Changed t
APW
minimum
limits from 75ns and 100 ns to the quantity t
RP
+ t
CK
. Removed all references to
n
BSD
from drawing. - glg
Changes in accordance with NOR 5962-R071-98. - glg
Changes to paragraph 1.3 and 1.4. Table IA changes to I
L
, I
O
, I
CC2N
, I
CC3P
,
I
CC3PS
, I
CC3N
, I
CC4
, and I
CC5
. Removed number of cycles table from Table IA,
sheet 12. - glg
Change CAGE code to correct CAGE of 67268. Update to current boilerplate.
Editorial changes throughout. - gap
DATE (YR-MO-DA)
98-01-20
APPROVED
Raymond Monnin
B
C
98-03-19
99-03-16
Raymond Monnin
Raymond Monnin
D
02-04-02
Raymond Monnin
REV
SHEET
REV
SHEET
REV STATUS
OF SHEETS
PMIC N/A
D
35
D
15
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36
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16
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17
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18
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40
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20
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2
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4
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6
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28
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8
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49
D
29
D
9
D
50
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10
D
31
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11
D
32
D
12
D
33
D
13
D
34
D
14
SHEET
PREPARED BY
Gary L. Gross
CHECKED BY
Jeff Bowling
DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS
COLUMBUS, OHIO 43216
http://www.dscc.dla.mil
STANDARD
MICROCIRCUIT
DRAWING
THIS DRAWING IS AVAILABLE
FOR USE BY All DEPARTMENTS
AND AGENCIES OF THE
DEPARTMENT OF DEFENSE
AMSC N/A
APPROVED BY
Raymond Monnin
DRAWING APPROVAL DATE
97-06-17
REVISION LEVEL
D
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS,
512K x 16-BIT x 2-BANK, SYNCHRONOUS
DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY (SDRAM),
MONOLITHIC SILICON
SIZE
A
SHEET
1 OF
50
5962-E310-02
CAGE CODE
67268
5962-97545
DSCC FORM 2233
APR 97
DISTRIBUTION STATEMENT A. Approved for public release; distribution is unlimited.

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描述 Synchronous DRAM, 1MX16, 15ns, CMOS, CDFP50, CERAMIC, DFP-50 Synchronous DRAM, 1MX16, 20ns, CMOS, CDFP50, CERAMIC, DFP-50 Synchronous DRAM, 1MX16, 12ns, CMOS, CDFP50, CERAMIC, DFP-50
零件包装代码 DFP DFP DFP
包装说明 DFP, FL50,.67,32 DFP, FL50,.67,32 DFP, FL50,.67,32
针数 50 50 50
Reach Compliance Code compliant compli compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间 15 ns 20 ns 12 ns
其他特性 AUTO REFRESH AUTO REFRESH AUTO REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 66 MHz 50 MHz 83 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON
交错的突发长度 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8
JESD-30 代码 R-CDFP-F50 R-CDFP-F50 R-CDFP-F50
JESD-609代码 e0 e0 e0
长度 21 mm 21 mm 21 mm
内存密度 16777216 bit 16777216 bi 16777216 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 16 16 16
功能数量 1 1 1
端口数量 1 1 1
端子数量 50 50 50
字数 1048576 words 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000 1000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C
组织 1MX16 1MX16 1MX16
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DFP DFP DFP
封装等效代码 FL50,.67,32 FL50,.67,32 FL50,.67,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK FLATPACK FLATPACK
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Qualified Qualified Qualified
刷新周期 4096 4096 4096
筛选级别 MIL-PRF-38535 Class Q MIL-PRF-38535 Class Q MIL-PRF-38535 Class Q
座面最大高度 3.55 mm 3.55 mm 3.55 mm
连续突发长度 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP
最大待机电流 0.002 A 0.002 A 0.002 A
最大压摆率 0.175 mA 0.15 mA 0.18 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.465 V 3.465 V 3.465 V
最小供电电压 (Vsup) 3.135 V 3.135 V 3.135 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 FLAT FLAT FLAT
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
宽度 16.5 mm 16.5 mm 16.5 mm
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