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M28LV64-250XN6

产品描述64K 8K x 8 LOW VOLTAGE PARALLEL EEPROM with SOFTWARE DATA PROTECTION
产品类别存储    存储   
文件大小106KB,共18页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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M28LV64-250XN6概述

64K 8K x 8 LOW VOLTAGE PARALLEL EEPROM with SOFTWARE DATA PROTECTION

M28LV64-250XN6规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码TSOP
包装说明LSSOP, TSSOP28,.53,22
针数28
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间250 ns
其他特性ENDURANCE >100000 ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION >40 YEARS; SOFTWARE DATA PROTECTION
命令用户界面NO
数据轮询YES
数据保留时间-最小值40
耐久性100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDSO-G28
JESD-609代码e0
长度11.8 mm
内存密度65536 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量28
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织8KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LSSOP
封装等效代码TSSOP28,.53,22
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
页面大小64 words
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3/3.3 V
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度1.25 mm
最大待机电流0.00002 A
最大压摆率0.01 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.55 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位YES
宽度8 mm
Base Number Matches1
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