5962-8868102LX概述

Standard SRAM, 64KX4, 45ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-24

5962-8868102LX规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Cypress(赛普拉斯)
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP24,.3
针数	24
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C
最长访问时间	45 ns
其他特性	TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS; BATTERY BACKUP; LOW POWER STANDBY
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-CDIP-T24
内存密度	262144 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端子数量	24
字数	65536 words
字数代码	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	64KX4
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP24,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	MIL-STD-883
座面最大高度	5.08 mm
最大待机电流	0.02 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	PALLADIUM GOLD
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
宽度	7.62 mm
Base Number Matches	1

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	5962-8868102LX	5962-9322501MXX	5962-9322501MYX	5962-9322503MYX	5962-9322502MYX	5962-9322503MXX	5962-9322502MXX	5962-8868101LX
描述	Standard SRAM, 64KX4, 45ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-24	Standard SRAM, 64KX4, 45ns, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28	Standard SRAM, 64KX4, 45ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28	Standard SRAM, 64KX4, 25ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28	Standard SRAM, 64KX4, 35ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28	Standard SRAM, 64KX4, 25ns, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28	Standard SRAM, 64KX4, 35ns, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28	Standard SRAM, 64KX4, 35ns, CMOS, CDIP24, CERAMIC, DIP-24
零件包装代码	DIP	DIP	QLCC	QLCC	QLCC	DIP	DIP	DIP
包装说明	DIP, DIP24,.3	DIP,	QCCN,	QCCN,	QCCN,	DIP,	DIP,	DIP, DIP24,.3
针数	24	28	28	28	28	28	28	24
Reach Compliance Code	unknown	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknown	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C
最长访问时间	45 ns	45 ns	45 ns	25 ns	35 ns	25 ns	35 ns	35 ns
JESD-30 代码	R-CDIP-T24	R-GDIP-T28	R-CQCC-N28	R-CQCC-N28	R-CQCC-N28	R-GDIP-T28	R-GDIP-T28	R-GDIP-T24
内存密度	262144 bit	262144 bi	262144 bi	262144 bi	262144 bi	262144 bi	262144 bit	262144 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	4	4	4	4	4	4	4	4
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	24	28	28	28	28	28	28	24
字数	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words
字数代码	64000	64000	64000	64000	64000	64000	64000	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	64KX4	64KX4	64KX4	64KX4	64KX4	64KX4	64KX4	64KX4
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP	DIP	QCCN	QCCN	QCCN	DIP	DIP	DIP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
筛选级别	MIL-STD-883	MIL-STD-883	MIL-STD-883	MIL-STD-883	MIL-STD-883	MIL-STD-883	MIL-STD-883	MIL-STD-883
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	YES	YES	YES	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL	DUAL	QUAD	QUAD	QUAD	DUAL	DUAL	DUAL
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	1

5962-8868102LX

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