AS SERIES, HEX 2-INPUT NAND GATE, CDIP20, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-20
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-20 |
| 针数 | 20 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 系列 | AS |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T20 |
| 长度 | 24.195 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | NAND GATE |
| 最大I（ol） | 0.04 A |
| 功能数量 | 6 |
| 输入次数 | 2 |
| 端子数量 | 20 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 最大电源电流（ICC） | 27 mA |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 5 ns |
| 传播延迟（tpd） | 5 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 施密特触发器 | NO |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | TTL |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| 5962-8776601RX | 5962-8869301RX | 5962-87766012X | 5962-88693012X | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | AS SERIES, HEX 2-INPUT NAND GATE, CDIP20, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-20 | ALS SERIES, HEX 2-INPUT NAND GATE, CDIP20 | AS SERIES, HEX 2-INPUT NAND GATE, CQCC20, CERAMIC, LCC-20 | ALS SERIES, HEX 2-INPUT NAND GATE, CQCC20, CERAMIC, LCC-20 |
| 零件包装代码 | DIP | DIP | QLCC | QLCC |
| 包装说明 | 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-20 | 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-20 | CERAMIC, LCC-20 | QCCN, |
| 针数 | 20 | 20 | 20 | 20 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant |
| 系列 | AS | ALS | AS | ALS |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T20 | R-GDIP-T20 | S-CQCC-N20 | S-CQCC-N20 |
| 长度 | 24.195 mm | 24.195 mm | 8.89 mm | 8.89 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF | 50 pF | 50 pF | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | NAND GATE | NAND GATE | NAND GATE | NAND GATE |
| 最大I（ol） | 0.04 A | 0.04 A | 0.04 A | 0.04 A |
| 功能数量 | 6 | 6 | 6 | 6 |
| 输入次数 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 20 | 20 | 20 | 20 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DIP | DIP | QCCN | QCCN |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | SQUARE | SQUARE |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER |
| 最大电源电流（ICC） | 27 mA | 27 mA | 27 mA | 27 mA |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 5 ns | 5 ns | 5 ns | 5 ns |
| 传播延迟（tpd） | 5 ns | 9 ns | 5 ns | 9 ns |
| 认证状态 | Not Qualified | Qualified | Not Qualified | Qualified |
| 施密特触发器 | NO | NO | NO | NO |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 | MIL-STD-883 | MIL-STD-883 | MIL-STD-883 |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 5.08 mm | 2.03 mm | 2.03 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | YES | YES |
| 技术 | TTL | TTL | TTL | TTL |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | QUAD | QUAD |
| 宽度 | 7.62 mm | 7.62 mm | 8.89 mm | 8.89 mm |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | - |
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