256k EEPROM (32-kword x 8-bit) Ready/Busy and RES function (HN58V257A)
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Hitachi （Renesas ） |
| 零件包装代码 | TSOP |
| 包装说明 | TSOP1, TSSOP32,.56,20 |
| 针数 | 32 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 120 ns |
| 其他特性 | 100000 ERASE/WRITE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION; SOFTWARE DATA PROTECTION; 64 BYTE PAGE WRITE |
| 命令用户界面 | NO |
| 数据轮询 | YES |
| 数据保留时间-最小值 | 10 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G32 |
| 长度 | 12.4 mm |
| 内存密度 | 262144 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 32KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSOP1 |
| 封装等效代码 | TSSOP32,.56,20 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 页面大小 | 64 words |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 电源 | 3/5 V |
| 编程电压 | 3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 就绪/忙碌 | YES |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 最大待机电流 | 0.00002 A |
| 最大压摆率 | 0.03 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.5 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 切换位 | YES |
| 宽度 | 8 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms |
| Base Number Matches | 1 |
| HN58V257AT-12 | HN58V256A | HN58V256AFP-12 | HN58V256AT-12 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | 256k EEPROM (32-kword x 8-bit) Ready/Busy and RES function (HN58V257A) | 256k EEPROM (32-kword x 8-bit) Ready/Busy and RES function (HN58V257A) | 256k EEPROM (32-kword x 8-bit) Ready/Busy and RES function (HN58V257A) | 256k EEPROM (32-kword x 8-bit) Ready/Busy and RES function (HN58V257A) |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | - | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Hitachi （Renesas ） | - | Hitachi （Renesas ） | Hitachi （Renesas ） |
| 零件包装代码 | TSOP | - | SOIC | TSOP |
| 包装说明 | TSOP1, TSSOP32,.56,20 | - | SOP, SOP28,.4 | TSOP1, TSSOP28,.53,22 |
| 针数 | 32 | - | 28 | 28 |
| Reach Compliance Code | unknown | - | unknow | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 120 ns | - | 120 ns | 120 ns |
| 其他特性 | 100000 ERASE/WRITE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION; SOFTWARE DATA PROTECTION; 64 BYTE PAGE WRITE | - | 100000 ERASE/WRITE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION; SOFTWARE DATA PROTECTION; 64 BYTE PAGE WRITE | 100000 ERASE/WRITE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION; SOFTWARE DATA PROTECTION; 64 BYTE PAGE WRITE |
| 命令用户界面 | NO | - | NO | NO |
| 数据轮询 | YES | - | YES | YES |
| 数据保留时间-最小值 | 10 | - | 10 | 10 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G32 | - | R-PDSO-G28 | R-PDSO-G28 |
| 长度 | 12.4 mm | - | 18.3 mm | 11.8 mm |
| 内存密度 | 262144 bit | - | 262144 bi | 262144 bi |
| 内存集成电路类型 | EEPROM | - | EEPROM | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 | - | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | - | 1 | 1 |
| 端子数量 | 32 | - | 28 | 28 |
| 字数 | 32768 words | - | 32768 words | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 | - | 32000 | 32000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | - | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | - | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 32KX8 | - | 32KX8 | 32KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSOP1 | - | SOP | TSOP1 |
| 封装等效代码 | TSSOP32,.56,20 | - | SOP28,.4 | TSSOP28,.53,22 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | - | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 页面大小 | 64 words | - | 64 words | 64 words |
| 并行/串行 | PARALLEL | - | PARALLEL | PARALLEL |
| 电源 | 3/5 V | - | 3/5 V | 3/5 V |
| 编程电压 | 3 V | - | 3 V | 3 V |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.2 mm | - | 2.5 mm | 1.2 mm |
| 最大待机电流 | 0.00002 A | - | 0.00002 A | 0.00002 A |
| 最大压摆率 | 0.03 mA | - | 0.03 mA | 0.03 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | - | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V | - | 2.7 V | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V | - | 3 V | 3 V |
| 表面贴装 | YES | - | YES | YES |
| 技术 | CMOS | - | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | - | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子形式 | GULL WING | - | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 0.5 mm | - | 1.27 mm | 0.55 mm |
| 端子位置 | DUAL | - | DUAL | DUAL |
| 切换位 | YES | - | YES | YES |
| 宽度 | 8 mm | - | 8.4 mm | 8 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms | - | 10 ms | 10 ms |
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