Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1N4150/D4

文档预览

1N4150/D4: 产品描述DIODE 0.15 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小59KB，共4页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com; 标准

下载文档详细参数选型对比全文预览

1N4150/D4概述

DIODE 0.15 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode

1N4150/D4规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	DO-35
包装说明	O-LALF-W2
针数	2
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码	DO-35
JESD-30 代码	O-LALF-W2
JESD-609代码	e2
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最大输出电流	0.15 A
封装主体材料	GLASS
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
最大功率耗散	0.5 W
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	50 V
最大反向恢复时间	0.004 µs
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

VISHAY

1N4150

Vishay Semiconductors

Fast Switching Diode

Features

• Silicon Epitaxial Planar Diode

• Low forward voltage drop

• High forward current capability

Applications

High speed switch and general purpose use in com-

puter and industrial applications

94 9367

Mechanical Data

Case:

DO-35 Glass Case

Weight:

approx. 300 mg

Packaging Codes/Options:

D3/10 K per 13" reel (8 mm tape), 30 K/box

D4/3 K per 7" reel (8 mm tape), 30 K/box

Parts Table

Part

1N4150

Type differentiation

Single Diodes

Ordering code

Remarks

DO35

Package

1N4150-TAP / 1N4150-TR Ammopack / Tape and

Reel

Absolute Maximum Ratings

amb

= 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Repetitive peak reverse voltage

Reverse voltage

Peak forward surge current

Average peak forward current

Forward current

Average forward current

Power dissipation

= 0

l = 4 mm, T

= 45 °C

l = 4 mm, T

≤

25 °C

= 1 µs

Test condition

Sub type

Symbol

RRM

FSM

FRM

FAv

Value

600

300

150

440

500

Unit

Maximum Thermal Resistance

amb

= 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Junction ambient

Junction temperature

Storage temperature range

Test condition

l = 4 mm, T

= constant

Symbol

thJA

stg

Value

350

175

- 65 to + 175

Unit

K/W

°C

Document Number 85522

Rev. 5, 21-Nov-02

www.vishay.com

1N4150

Vishay Semiconductors

Ozone Depleting Substances Policy Statement

It is the policy of

Vishay Semiconductor GmbH

1. Meet all present and future national and international statutory requirements.

VISHAY

2. Regularly and continuously improve the performance of our products, processes, distribution and

operatingsystems with respect to their impact on the health and safety of our employees and the public, as

well as their impact on the environment.

It is particular concern to control or eliminate releases of those substances into the atmosphere which are

known as ozone depleting substances (ODSs).

The Montreal Protocol (1987) and its London Amendments (1990) intend to severely restrict the use of ODSs

and forbid their use within the next ten years. Various national and international initiatives are pressing for an

earlier ban on these substances.

Vishay Semiconductor GmbH

has been able to use its policy of continuous improvements to eliminate the

use of ODSs listed in the following documents.

1. Annex A, B and list of transitional substances of the Montreal Protocol and the London Amendments

respectively

2. Class I and II ozone depleting substances in the Clean Air Act Amendments of 1990 by the Environmental

Protection Agency (EPA) in the USA

3. Council Decision 88/540/EEC and 91/690/EEC Annex A, B and C (transitional substances) respectively.

Vishay Semiconductor GmbH

can certify that our semiconductors are not manufactured with ozone depleting

substances and do not contain such substances.

We reserve the right to make changes to improve technical design and may do so without further

notice.

Parameters can vary in different applications. All operating parameters must be validated for each

customer application by the customer. Should the buyer use Vishay Semiconductors products for any

unintended or unauthorized application, the buyer shall indemnify Vishay Semiconductors against all

claims, costs, damages, and expenses, arising out of, directly or indirectly, any claim of personal

damage, injury or death associated with such unintended or unauthorized use.

Vishay Semiconductor GmbH, P.O.B. 3535, D-74025 Heilbronn, Germany

Telephone: 49 (0)7131 67 2831, Fax number: 49 (0)7131 67 2423

www.vishay.com

Document Number 85522

Rev. 5, 21-Nov-02

1N4150/D4相似产品对比

	1N4150/D4	1N4150/D3
描述	DIODE 0.15 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode	DIODE 0.15 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode
是否无铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合
零件包装代码	DO-35	DO-35
包装说明	O-LALF-W2	O-LALF-W2
针数	2	2
Reach Compliance Code	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码	DO-35	DO-35
JESD-30 代码	O-LALF-W2	O-LALF-W2
JESD-609代码	e2	e2
湿度敏感等级	1	1
元件数量	1	1
端子数量	2	2
最高工作温度	175 °C	175 °C
最大输出电流	0.15 A	0.15 A
封装主体材料	GLASS	GLASS
封装形状	ROUND	ROUND
封装形式	LONG FORM	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
最大功率耗散	0.5 W	0.5 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	50 V	50 V
最大反向恢复时间	0.004 µs	0.004 µs
表面贴装	NO	NO
端子面层	Tin/Silver (Sn/Ag)	Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式	WIRE	WIRE
端子位置	AXIAL	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1	1

推荐资源

用iMPACT烧写程序到W25X40L问题: 我现在用的xilinx的下载电缆，通过iMPACT软件烧写代码到W25X40L里，有时能烧写成功，有时根本不能，不知道是怎么回事，可靠性这么不好，还有W25X40L上的引脚连到cpld上的，但把cpld里的程序擦除 ......; ksqnhm FPGA/CPLD

在51上用C写串口程序碰到的一个问题: #include #define unint unsigned int #define unchar unsigned char delay(unchar n) {unint i,AI; for (i=n;i>0;i--) for (AI=100;AI>0;AI--); } void main() { TMOD=0X20; ......; shaoyj 嵌入式系统

EMC，EMI辅助材料: 辅助您解决EMC,EMI问题的材料，帮助您解决问题，可以找我哦。我的邮箱是;machane2126.com 电话是13511064904 马先生...; machane 无线连接

晒WEBENCH设计的过程+交流电源LED架构过程: 我们日常生活都是交流取电，因此直接接在220V电源的LED灯应该会在未来普及。但是TI对于我们国内220V AC-DC方案不多，TI要加油哦。反正原理是一样的，就暂时用外国110V电源为例吧。首先选 ......; shepherd 模拟与混合信号

求教微小电流放大的问题: 我想要放大一个大约1~100nA的微小信号，应该用几级的运放？第一级用什么比较好，仪放还是差分？求教各位指点！！现在我的想法是第一级为仪放，但是电流转电压的问题比较难解决，第二级用差 ......; Linasity 模拟电子

如何使用RAPI?: 目前问题是,我安装了VS2005,及WM5.0的Smartphone SDK,使用Activesync连接到了VS2005自带的模拟器上.问题是,我现在可以使用CeXXX等函数来操作这个模拟器里的文件吗?如何连接?当然最终目的是要和P ......; ivy198632 嵌入式系统

AIM Global REG制定超高频RFID实施指南

　　【提要】 AIM Global RFID专家组面向RFID系统集成商和终端用户，制定出针对超高频RFID技术应用的实施指南；并将作为技术报告草案提交给ISO/IEC JTC1。　　【RFID射频快报2007年8月23日讯】近期，AIM Global REG小组（RFIDExperts Group，即RFID专家组）面向RFID系统集成商和终端用户，制定出针对超高频（UHF）RFID...[详细]
一种新颖的电子式PS压力传感器

　　概述　　PS压力传感器是一种利用半导体膜片结构制成的电子式压力传感器，它可将空气压力这一物理量变换成电信号, 并能够高精度、线性地检测出压力的变化。它是松下电工公司近年推出的新产品。　　早在1954年美国C.S.Smith首先确认了半导体压电电阻效应，1955年C.Herring指出：这种压电电阻效应是由于应力的作用，引起导体与价电子带能量状态的变化，以及载流子数量与迁移率变化所产生...[详细]
基于MSP430F449的电子血压计

　　随着生活水平的不断提高以及城市老龄化比例的提高，医疗电子设备的家庭化逐渐成为了趋势。其中家用电子血压计就是典型的家庭医疗检测设备之一。目前血压计大致上可分为两种：一是水银式血压计，其优点为数值稳定，其缺点为无法一个人自行操作，必须专业医护人员操作，且肉眼观察误差极大，主观性强，体积较大不易携带。二是电子式血压计，其优点为：使用简易，可一人独自操作；测量值便于记录，体积轻巧便于携带。电子式血压...[详细]
SynQor超小病人全接触型医疗电源模块

　　SynQor推出超小的病人全接触型400W医疗电源模块，该电源模块的封装为3×5×1.44，功率密度高达18.3W/立方英寸，转换效率达91%。　　SynQor通过推出首款专门针对医疗应用而研制的AC/DC电源模块，使得公司的多元化战略持续成功地延伸至新的医疗领域。ACuQor模块系列实现了在3×5×1.44有限尺寸上提供400W的有用功率。SynQor可以提供48V，36V or 24V的...[详细]
中文语音处理在数字助听器中的开发

　　目前国外对助听器研究发展的一个热点则是集中在中国，确切地讲是基于对汉语语言和语音研究，开发相关的语音识别技术和产品。为中心的中文听力学也不例外。我们已经知道听觉科学是一门发展迅速、知识更新很快的一门学科，它所研究的对象以人的听觉为中心，现在我们将介绍和讨论科学家和听力学家更关心的是怎样将听觉科学运用到中国人的听觉和言语实际中去。　　汉语是具有特征化的音调性语言，与其他以拼音字母为主的语系...[详细]
基于LabVIEW快速搭建医疗设备原型

　　21世纪是生命和健康的世纪，生命科学的飞速进步不断推动着人类对自身健康和疾病的认识，如何开发创新型的医疗电子设备也成为研究的热点之一。　　医疗设备研究内容涉及众多工程学研究领域，如电子学、计算机、信息处理、光学、精密机械学等。随着医学的发展、治疗手段的多样化和相关工程领域技术的不断进步，医疗电子设备正变得日益复杂化。一般大型医疗设备由多个子系统组成，需要集成多种传感器、机械部件、电子元件，如...[详细]
台湾媒体称马英九暗示开放12吋晶圆厂“登陆”

　　马英九10日抛出扩大开放晶圆厂登陆想法。他表示，美国半导体大厂英特尔公司，去年宣布成立大陆12吋晶圆90纳米制程的生产工厂，如果美国可以容许英特尔到大陆去，“我相信我们进一步开放应该是合理、也是必要的政策”。　　据台湾《联合报》报道，马英九昨天在接见美商应用材料公司全球总裁史宾林特，马英九说，台湾半导体晶圆代工产业是世界龙头，IC设计所占比例名列前茅，封装测试也是全球第一，因此应用材料公...[详细]
天威视讯机顶盒的快乐与沉思

前言加速发展的中国有线电视数字化进程受到了强有力政策的支持，推动了中国数字有线机顶盒市场增长。据最新研究报告显示，2007年底，中国有线数字电视电视用户数量达到2,796万户，有线电视数字化程度达到24%；2008年1季度，中国有线数字电视用户数量已经达到3195.18万户，有线电视数字化程度达到31.96%。2008年2季度，根据各地区有线电视网络公司规划，中国有线数字电视新增用户770....[详细]
Cadence推出C-to-Silicon Compiler

2008 年 7 月 15 日 Cadence 设计系统公司宣布推出 Cadence® C-to-Silicon Compiler ，这是一种高阶综合产品，能够让设计师在创建和复用系统级芯片 IP 的过程中，将生产力提高 10 倍。 C-to-Silicon Compiler 中的创新技术成为沟通系统级模型之间的桥梁，它们通常是用 C/C++ 和 Syst...[详细]
Valor 和i-PULSE合作提供NPI解决方案

　　Yamaha Motor Group旗下的i-PULSE有限公司日前已与华尔莱科技（Valor）结为合作伙伴关系，基于Valor的vPlan生产规划工具向i-PULSE组装设备的使用者提供完整的从设计到制造的NPI解决方案。在近期日本东京举办的Protec展会（6/11-6/13）上，i-PULSE首度展出了该新产品并将直接向其客户进行销售。　　新产品的名称为“iPlan”，它将提供一系...[详细]
非接触式高压验电器的改进(图)

　　安全是生产过程中的重中之重，对于危险性的作业尤其重要，在高压线路停电检修时必须遵循停电、验电、挂地再开始操作的规定。验电操作必须通过验电器来完成。验电器是用来检测电力设备上是否存在电压的常用电力安全工具之一，通过验电器明确验证停电设备是否确无电压，再进行其他操作，以防止出现带电装接地线（合接地刀闸)、误碰有电设备等恶性事故的发生。因此，在电力行业中验电器的作用不可忽视。　　工程背景 ...[详细]
TD-SCDMA射频测试总结（一）

　　TD－SCDMA终端一致性测试包括射频指标测试（参考标准：3GPPTS34.122），协议信令测试（参考标准：3GPPTS34.123）和其他测试（参考标准：3GPPTS31.120）三类测试。　　其中射频指标测试分为“发射机特性测试”“接收机特性测试”“性能指标测试”和“支持无线资源管理测试”。　　发射机特性测试：包括UE最大发射功率、频率稳定性、最小发射功率、占用带宽、邻道泄漏抑...[详细]
32位处理器大幅增长工业市场转向ARM控制器

　　半导体调研公司Semicast在报告中预测，工业和商业领域中的32位MCU/MPU销售额将大幅增长，同时需求将转向基于ARM的控制器。　　传统上，工业和医疗产业对于处理性能的要求一直集中于基于经x86的应用，如ATM、EPOS、自动售货机和SBC，这些设备通常采用Intel处理器、微软Windows和自有中间件的组合。Semicast预测这种局面不会很快发生变化，并预计在预测期内，将继续...[详细]
任重道远 SMT/EMS企业发展需“众人拾柴”

　　SMT历史可以追溯到上世纪70年代末和80年代初，当时中国的电子科技人员已经开始跟踪国外SMT技术的发展，并在小范围内应用SMT技术。上世纪90年代初、中期中国录像机生产线的引进掀起了另一次SMT引进高潮。进入21世纪以来，中国SMT引进步伐大大加快。随着国内对SMT技术的广泛应用，SMT/EMS企业如雨后春笋般兴起。目前SMT/EMS企业主要分布在长三角、珠三角以及环渤海地区。这些地区的S...[详细]
AMD、英特尔之间芯片之战未来进一步升级

　　据国外媒体报道，AMD公司正在研制一种应用于移动设备和笔记本电脑的低功率处理器，该公司于周五证实了这个消息。　　该芯片将与英特尔的原子处理器竞争，有可能取代配备于儿童的二甲酚橙笔记本电脑上的AMD低功耗单晶片Geode x86系统。基于x86的系统芯片设计于2003年曾得到美国国家半导体的嘉奖，Geode是还可应用于薄客户机和嵌入式设备。AMD公司拒绝发布芯片的推出日期。　　AMD去...[详细]

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多