5962-9091203MXA概述

UVPROM, 256KX8, 150ns, CMOS, CDIP32, WINDOWED, CERAMIC, DIP-32

5962-9091203MXA规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	AMD(超微)
零件包装代码	DIP
包装说明	WDIP, DIP32,.6
针数	32
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	150 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-GDIP-T32
JESD-609代码	e0
长度	42.1005 mm
内存密度	2097152 bit
内存集成电路类型	UVPROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	32
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	256KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	WDIP
封装等效代码	DIP32,.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE, WINDOW
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	MIL-STD-883
座面最大高度	5.588 mm
最大待机电流	0.0001 A
最大压摆率	0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
宽度	15.24 mm
Base Number Matches	1

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描述	UVPROM, 256KX8, 150ns, CMOS, CDIP32, WINDOWED, CERAMIC, DIP-32	UVPROM, 256KX8, 250ns, CMOS, CDIP32, WINDOWED, CERAMIC, DIP-32	UVPROM, 256KX8, 250ns, CMOS, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32	UVPROM, 256KX8, 200ns, CMOS, CDIP32, WINDOWED, CERAMIC, DIP-32	UVPROM, 256KX8, 200ns, CMOS, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32	UVPROM, 256KX8, 150ns, CMOS, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32
零件包装代码	DIP	DIP	QFJ	DIP	QFJ	QFJ
包装说明	WDIP, DIP32,.6	WDIP, DIP32,.6	WQCCN, LCC32,.45X.55	WDIP, DIP32,.6	WQCCN, LCC32,.45X.55	WQCCN, LCC32,.45X.55
针数	32	32	32	32	32	32
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	150 ns	250 ns	250 ns	200 ns	200 ns	150 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-GDIP-T32	R-GDIP-T32	R-CQCC-N32	R-GDIP-T32	R-CQCC-N32	R-CQCC-N32
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	42.1005 mm	42.1005 mm	13.97 mm	42.1005 mm	13.97 mm	13.97 mm
内存密度	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit
内存集成电路类型	UVPROM	UVPROM	UVPROM	UVPROM	UVPROM	UVPROM
内存宽度	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	32	32	32	32	32	32
字数	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	256000	256000	256000	256000	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	256KX8	256KX8	256KX8	256KX8	256KX8	256KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	WDIP	WDIP	WQCCN	WDIP	WQCCN	WQCCN
封装等效代码	DIP32,.6	DIP32,.6	LCC32,.45X.55	DIP32,.6	LCC32,.45X.55	LCC32,.45X.55
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE, WINDOW	IN-LINE, WINDOW	CHIP CARRIER, WINDOW	IN-LINE, WINDOW	CHIP CARRIER, WINDOW	CHIP CARRIER, WINDOW
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
筛选级别	MIL-STD-883	MIL-STD-883	MIL-STD-883	MIL-STD-883	MIL-STD-883	MIL-STD-883
座面最大高度	5.588 mm	5.588 mm	3.556 mm	5.588 mm	3.556 mm	3.556 mm
最大待机电流	0.0001 A	0.0001 A	0.0001 A	0.0001 A	0.0001 A	0.0001 A
最大压摆率	0.06 mA	0.06 mA	0.06 mA	0.06 mA	0.06 mA	0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	YES	NO	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	NO LEAD	THROUGH-HOLE	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	QUAD	DUAL	QUAD	QUAD
宽度	15.24 mm	15.24 mm	11.43 mm	15.24 mm	11.43 mm	11.43 mm
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1

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