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HM62W16258BLTT-5SL

产品描述4 M SRAM (256-kword x 16-bit)
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文件大小77KB,共16页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HM62W16258BLTT-5SL概述

4 M SRAM (256-kword x 16-bit)

HM62W16258BLTT-5SL规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2, TSOP44,.46,32
针数44
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码3A991.B.2.A
Is SamacsysN
最长访问时间55 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G44
长度18.41 mm
内存密度4194304 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度16
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量44
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSOP44,.46,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最小待机电流2 V
最大压摆率0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10.16 mm
Base Number Matches1

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HM62W16258B Series
4 M SRAM (256-kword
×
16-bit)
ADE-203-976B (Z)
Rev. 2.0
Oct. 14, 1999
Description
The Hitachi HM62W16258B Series is 4-Mbit static RAM organized 262,144-word
×
16-bit. HM62W16258B
Series has realized higher density, higher performance and low power consumption by employing Hi-CMOS
process technology. It offers low power standby power dissipation; therefore, it is suitable for battery backup
systems. It is packaged in standard 44-pin plastic TSOPII.
Features
Single 3.3 V supply: 3.3 V ± 0.3 V
Fast access time: 55 ns/70 ns (max)
Power dissipation:
Active: 9.9 mW (typ)
Standby: 3.3 µW (typ)
Completely static memory.
No clock or timing strobe required
Equal access and cycle times
Common data input and output.
Three state output
Battery backup operation.

HM62W16258BLTT-5SL相似产品对比

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描述 4 M SRAM (256-kword x 16-bit) 4 M SRAM (256-kword x 16-bit) 4 M SRAM (256-kword x 16-bit) 4 M SRAM (256-kword x 16-bit) 4 M SRAM (256-kword x 16-bit)
是否无铅 含铅 - - 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 - - 不符合 不符合
厂商名称 Hitachi (Renesas ) - Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas )
零件包装代码 TSOP2 - TSOP2 TSOP2 TSOP2
包装说明 TSOP2, TSOP44,.46,32 - TSOP2, TSOP44,.46,32 TSOP2, TSOP44,.46,32 TSOP2, TSOP44,.46,32
针数 44 - 44 44 44
Reach Compliance Code unknow - unknow unknow unknow
ECCN代码 3A991.B.2.A - 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 55 ns - 55 ns 70 ns 70 ns
I/O 类型 COMMON - COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-G44 - R-PDSO-G44 R-PDSO-G44 R-PDSO-G44
长度 18.41 mm - 18.41 mm 18.41 mm 18.41 mm
内存密度 4194304 bi - 4194304 bi 4194304 bi 4194304 bi
内存集成电路类型 STANDARD SRAM - STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 16 - 16 16 16
湿度敏感等级 1 - - 1 1
功能数量 1 - 1 1 1
端子数量 44 - 44 44 44
字数 262144 words - 262144 words 262144 words 262144 words
字数代码 256000 - 256000 256000 256000
工作模式 ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C - 70 °C 70 °C 70 °C
组织 256KX16 - 256KX16 256KX16 256KX16
输出特性 3-STATE - 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2 - TSOP2 TSOP2 TSOP2
封装等效代码 TSOP44,.46,32 - TSOP44,.46,32 TSOP44,.46,32 TSOP44,.46,32
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE - SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行 PARALLEL - PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 225 - - 225 225
电源 3.3 V - 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm - 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
最小待机电流 2 V - 2 V 2 V 2 V
最大压摆率 0.08 mA - 0.08 mA 0.07 mA 0.07 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V - 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V - 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V - 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES - YES YES YES
技术 CMOS - CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL - COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 GULL WING - GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.8 mm - 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 DUAL - DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 10.16 mm - 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm
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