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HM62V8512BLRR-8UL

产品描述4 M SRAM (512-kword x 8-bit)
产品类别存储    存储   
文件大小83KB,共17页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HM62V8512BLRR-8UL概述

4 M SRAM (512-kword x 8-bit)

HM62V8512BLRR-8UL规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2, TSOP32,.46
针数32
Reach Compliance Codeunknow
最长访问时间85 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G32
JESD-609代码e0
长度20.95 mm
内存密度4194304 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度-20 °C
组织512KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSOP32,.46
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
电源3 V
认证状态Not Qualified
反向引出线YES
座面最大高度1.2 mm
最大待机电流0.000002 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm
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