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HM628511HCLJP-10

产品描述4M High Speed SRAM (512-kword x 8-bit)
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文件大小70KB,共14页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HM628511HCLJP-10概述

4M High Speed SRAM (512-kword x 8-bit)

HM628511HCLJP-10规格参数

参数名称属性值
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码SOJ
包装说明SOJ, SOJ36,.44
针数36
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间10 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J36
长度23.25 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量36
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ36,.44
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.76 mm
最小待机电流2 V
最大压摆率0.14 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm
Base Number Matches1

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HM628511HC Series
4M High Speed SRAM (512-kword
×
8-bit)
ADE-203-1197 (Z)
Preliminary
Rev. 0.0
Nov. 9, 2000
Description
The HM628511HC Series is a 4-Mbit high speed static RAM organized 512-k word
×
8-bit. It has realized
high speed access time by employing CMOS process (6-transistor memory cell)and high speed circuit
designing technology. It is most appropriate for the application which requires high speed, high density
memory and wide bit width configuration, such as cache and buffer memory in system. It is packaged in 400-
mil 36-pin plastic SOJ.
Features
Single 5.0 V supply: 5.0 V ± 10 %
Access time: 10 ns (max)
Completely static memory
No clock or timing strobe required
Equal access and cycle times
Directly TTL compatible
All inputs and outputs
Operating current: 140 mA (max)
TTL standby current: 40 mA (max)
CMOS standby current : 5 mA (max)
: 1.2 mA (max) (L-version)
Data retension current: 0.8 mA (max) (L-version)
Data retension voltage: 2 V (min) (L-version)
Center V
CC
and V
SS
type pinout
Preliminary: The specification of this device are subject to change without notice. Please contact your
nearest Hitachi’s Sales Dept. regarding specification.

HM628511HCLJP-10相似产品对比

HM628511HCLJP-10 HM628511HCJP-10 HM628511HC
描述 4M High Speed SRAM (512-kword x 8-bit) 4M High Speed SRAM (512-kword x 8-bit) 4M High Speed SRAM (512-kword x 8-bit)
厂商名称 Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) -
零件包装代码 SOJ SOJ -
包装说明 SOJ, SOJ36,.44 SOJ, SOJ36,.44 -
针数 36 36 -
Reach Compliance Code unknown unknow -
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A -
最长访问时间 10 ns 10 ns -
I/O 类型 COMMON COMMON -
JESD-30 代码 R-PDSO-J36 R-PDSO-J36 -
长度 23.25 mm 23.25 mm -
内存密度 4194304 bit 4194304 bi -
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM -
内存宽度 8 8 -
功能数量 1 1 -
端子数量 36 36 -
字数 524288 words 524288 words -
字数代码 512000 512000 -
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS -
最高工作温度 70 °C 70 °C -
组织 512KX8 512KX8 -
输出特性 3-STATE 3-STATE -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装代码 SOJ SOJ -
封装等效代码 SOJ36,.44 SOJ36,.44 -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE -
并行/串行 PARALLEL PARALLEL -
电源 5 V 5 V -
认证状态 Not Qualified Not Qualified -
座面最大高度 3.76 mm 3.76 mm -
最小待机电流 2 V 4.5 V -
最大压摆率 0.14 mA 0.14 mA -
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V -
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V -
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V -
表面贴装 YES YES -
技术 CMOS CMOS -
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL -
端子形式 J BEND J BEND -
端子节距 1.27 mm 1.27 mm -
端子位置 DUAL DUAL -
宽度 10.16 mm 10.16 mm -

 
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