4M High Speed SRAM (512-kword x 8-bit)
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Hitachi (Renesas ) |
| 零件包装代码 | SOJ |
| 包装说明 | SOJ, SOJ36,.44 |
| 针数 | 36 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
| 最长访问时间 | 10 ns |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-J36 |
| 长度 | 23.25 mm |
| 内存密度 | 4194304 bi |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 36 |
| 字数 | 524288 words |
| 字数代码 | 512000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 512KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOJ |
| 封装等效代码 | SOJ36,.44 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 3.76 mm |
| 最大待机电流 | 0.005 A |
| 最小待机电流 | 4.5 V |
| 最大压摆率 | 0.14 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子形式 | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 10.16 mm |

| HM628511HCJP-10 | HM628511HCLJP-10 | HM628511HC | |
|---|---|---|---|
| 描述 | 4M High Speed SRAM (512-kword x 8-bit) | 4M High Speed SRAM (512-kword x 8-bit) | 4M High Speed SRAM (512-kword x 8-bit) |
| 厂商名称 | Hitachi (Renesas ) | Hitachi (Renesas ) | - |
| 零件包装代码 | SOJ | SOJ | - |
| 包装说明 | SOJ, SOJ36,.44 | SOJ, SOJ36,.44 | - |
| 针数 | 36 | 36 | - |
| Reach Compliance Code | unknow | unknown | - |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | - |
| 最长访问时间 | 10 ns | 10 ns | - |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | - |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-J36 | R-PDSO-J36 | - |
| 长度 | 23.25 mm | 23.25 mm | - |
| 内存密度 | 4194304 bi | 4194304 bit | - |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | - |
| 内存宽度 | 8 | 8 | - |
| 功能数量 | 1 | 1 | - |
| 端子数量 | 36 | 36 | - |
| 字数 | 524288 words | 524288 words | - |
| 字数代码 | 512000 | 512000 | - |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | - |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | - |
| 组织 | 512KX8 | 512KX8 | - |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | - |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - |
| 封装代码 | SOJ | SOJ | - |
| 封装等效代码 | SOJ36,.44 | SOJ36,.44 | - |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | - |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | - |
| 电源 | 5 V | 5 V | - |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - |
| 座面最大高度 | 3.76 mm | 3.76 mm | - |
| 最小待机电流 | 4.5 V | 2 V | - |
| 最大压摆率 | 0.14 mA | 0.14 mA | - |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | - |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | - |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | - |
| 表面贴装 | YES | YES | - |
| 技术 | CMOS | CMOS | - |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | - |
| 端子形式 | J BEND | J BEND | - |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | - |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | - |
| 宽度 | 10.16 mm | 10.16 mm | - |
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