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HM6264BLSP-8L: 产品描述8K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDIP28; 产品类别存储存储; 文件大小79KB，共15页; 制造商Hitachi （Renesas ）; 官网地址http://www.renesas.com/eng/

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HM6264BLSP-8L概述

8K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDIP28

8K × 8 标准存储器, 100 ns, PDIP28

HM6264BLSP-8L规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP28,.3
针数	28
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	85 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDIP-T28
长度	36 mm
内存密度	65536 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	28
字数	8192 words
字数代码	8000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	8KX8
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP28,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm
最大待机电流	0.000025 A
最小待机电流	2 V
最大压摆率	0.045 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
宽度	7.62 mm

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HM6264B Series

64 k SRAM (8-kword

8-bit)

ADE-203-454B (Z)

Rev. 2.0

Nov. 1997

Description

The Hitachi HM6264B is 64k-bit static RAM organized 8-kword

8-bit. It realizes higher performance

and low power consumption by 1.5

µm

CMOS process technology. The device, packaged in 450 mil

SOP (foot print pitch width), 600 mil plastic DIP, 300 mil plastic DIP, is available for high density

mounting.

Features

•

High speed

Fast access time: 85/100 ns (max)

•

Low power

Standby: 10

µW

(typ)

Operation: 15 mW (typ) (f = 1 MHz)

•

Single 5 V supply

•

Completely static memory

No clock or timing strobe required

•

Equal access and cycle times

•

Common data input and output

Three state output

•

Directly TTL compatible

All inputs and outputs

•

Battery backup operation capability

HM6264BLSP-8L相似产品对比

	HM6264BLSP-8L	HM6264BLFP-10	HM6264BLFP-8LT	HM6264BLP-10L	HM6264BLP-8L	HM6264B	HM6264BLFP-10LT	HM6264BLSP-10L
描述	8K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDIP28	8K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDIP28	8K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDIP28	8K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDIP28	8K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDIP28	8K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDIP28	8K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDIP28	8K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDIP28
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	28	28	28	28	28	28	28	28
组织	8KX8	8K X 8	8KX8	8KX8	8KX8	8K X 8	8KX8	8KX8
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	GULL WING	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	GULL WING	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
厂商名称	Hitachi （Renesas ）	-	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	-	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	DIP	-	SOIC	DIP	DIP	-	SOIC	DIP
包装说明	DIP, DIP28,.3	-	SOP, SOP28,.45	DIP, DIP28,.6	DIP, DIP28,.6	-	SOP, SOP28,.45	DIP, DIP28,.3
针数	28	-	28	28	28	-	28	28
Reach Compliance Code	unknow	-	unknow	unknow	unknow	-	unknown	unknow
ECCN代码	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99	-	EAR99	EAR99
最长访问时间	85 ns	-	85 ns	100 ns	85 ns	-	100 ns	100 ns
I/O 类型	COMMON	-	COMMON	COMMON	COMMON	-	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDIP-T28	-	R-PDSO-G28	R-PDIP-T28	R-PDIP-T28	-	R-PDSO-G28	R-PDIP-T28
长度	36 mm	-	18 mm	35.6 mm	35.6 mm	-	18 mm	36 mm
内存密度	65536 bi	-	65536 bi	65536 bi	65536 bi	-	65536 bit	65536 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	-	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	-	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
端口数量	1	-	1	1	1	-	1	1
字数	8192 words	-	8192 words	8192 words	8192 words	-	8192 words	8192 words
字数代码	8000	-	8000	8000	8000	-	8000	8000
工作模式	ASYNCHRONOUS	-	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	-	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	-	70 °C	70 °C	70 °C	-	70 °C	70 °C
输出特性	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE
可输出	YES	-	YES	YES	YES	-	YES	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	-	SOP	DIP	DIP	-	SOP	DIP
封装等效代码	DIP28,.3	-	SOP28,.45	DIP28,.6	DIP28,.6	-	SOP28,.45	DIP28,.3
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	-	SMALL OUTLINE	IN-LINE	IN-LINE	-	SMALL OUTLINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	-	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	-	PARALLEL	PARALLEL
电源	5 V	-	5 V	5 V	5 V	-	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm	-	3 mm	5.7 mm	5.7 mm	-	3 mm	5.08 mm
最大待机电流	0.000025 A	-	0.000025 A	0.000025 A	0.000025 A	-	0.000025 A	0.000025 A
最小待机电流	2 V	-	2 V	2 V	2 V	-	2 V	2 V
最大压摆率	0.045 mA	-	0.045 mA	0.045 mA	0.045 mA	-	0.045 mA	0.045 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	-	5.5 V	5.5 V	5.5 V	-	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	-	4.5 V	4.5 V	4.5 V	-	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	-	5 V	5 V	5 V	-	5 V	5 V
表面贴装	NO	-	YES	NO	NO	-	YES	NO
技术	CMOS	-	CMOS	CMOS	CMOS	-	CMOS	CMOS
端子节距	2.54 mm	-	1.27 mm	2.54 mm	2.54 mm	-	1.27 mm	2.54 mm
宽度	7.62 mm	-	8.4 mm	15.24 mm	15.24 mm	-	8.4 mm	7.62 mm

HM6264BLSP-8L

HM6264BLSP-8L概述

HM6264BLSP-8L规格参数

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