电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

HM6264BLFP-10LT

产品描述8K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDIP28
产品类别存储    存储   
文件大小79KB,共15页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

HM6264BLFP-10LT概述

8K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDIP28

8K × 8 标准存储器, 100 ns, PDIP28

HM6264BLFP-10LT规格参数

参数名称属性值
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP28,.45
针数28
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间100 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G28
长度18 mm
内存密度65536 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP28,.45
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3 mm
最大待机电流0.000025 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.045 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度8.4 mm
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
HM6264B Series
64 k SRAM (8-kword
×
8-bit)
ADE-203-454B (Z)
Rev. 2.0
Nov. 1997
Description
The Hitachi HM6264B is 64k-bit static RAM organized 8-kword
×
8-bit. It realizes higher performance
and low power consumption by 1.5
µm
CMOS process technology. The device, packaged in 450 mil
SOP (foot print pitch width), 600 mil plastic DIP, 300 mil plastic DIP, is available for high density
mounting.
Features
High speed
Fast access time: 85/100 ns (max)
Low power
Standby: 10
µW
(typ)
Operation: 15 mW (typ) (f = 1 MHz)
Single 5 V supply
Completely static memory
No clock or timing strobe required
Equal access and cycle times
Common data input and output
Three state output
Directly TTL compatible
All inputs and outputs
Battery backup operation capability

HM6264BLFP-10LT相似产品对比

HM6264BLFP-10LT HM6264BLFP-10 HM6264BLFP-8LT HM6264BLP-10L HM6264BLP-8L HM6264B HM6264BLSP-10L HM6264BLSP-8L
描述 8K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDIP28 8K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDIP28 8K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDIP28 8K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDIP28 8K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDIP28 8K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDIP28 8K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDIP28 8K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDIP28
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 28 28 28 28 28 28 28 28
组织 8KX8 8K X 8 8KX8 8KX8 8KX8 8K X 8 8KX8 8KX8
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
厂商名称 Hitachi (Renesas ) - Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) - Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas )
零件包装代码 SOIC - SOIC DIP DIP - DIP DIP
包装说明 SOP, SOP28,.45 - SOP, SOP28,.45 DIP, DIP28,.6 DIP, DIP28,.6 - DIP, DIP28,.3 DIP, DIP28,.3
针数 28 - 28 28 28 - 28 28
Reach Compliance Code unknown - unknow unknow unknow - unknow unknow
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99 - EAR99 EAR99
最长访问时间 100 ns - 85 ns 100 ns 85 ns - 100 ns 85 ns
I/O 类型 COMMON - COMMON COMMON COMMON - COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-G28 - R-PDSO-G28 R-PDIP-T28 R-PDIP-T28 - R-PDIP-T28 R-PDIP-T28
长度 18 mm - 18 mm 35.6 mm 35.6 mm - 36 mm 36 mm
内存密度 65536 bit - 65536 bi 65536 bi 65536 bi - 65536 bi 65536 bi
内存集成电路类型 STANDARD SRAM - STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM - STANDARD SRAM STANDARD SRAM
端口数量 1 - 1 1 1 - 1 1
字数 8192 words - 8192 words 8192 words 8192 words - 8192 words 8192 words
字数代码 8000 - 8000 8000 8000 - 8000 8000
工作模式 ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C - 70 °C 70 °C 70 °C - 70 °C 70 °C
输出特性 3-STATE - 3-STATE 3-STATE 3-STATE - 3-STATE 3-STATE
可输出 YES - YES YES YES - YES YES
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP - SOP DIP DIP - DIP DIP
封装等效代码 SOP28,.45 - SOP28,.45 DIP28,.6 DIP28,.6 - DIP28,.3 DIP28,.3
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE IN-LINE IN-LINE - IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL - PARALLEL PARALLEL PARALLEL - PARALLEL PARALLEL
电源 5 V - 5 V 5 V 5 V - 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 3 mm - 3 mm 5.7 mm 5.7 mm - 5.08 mm 5.08 mm
最大待机电流 0.000025 A - 0.000025 A 0.000025 A 0.000025 A - 0.000025 A 0.000025 A
最小待机电流 2 V - 2 V 2 V 2 V - 2 V 2 V
最大压摆率 0.045 mA - 0.045 mA 0.045 mA 0.045 mA - 0.045 mA 0.045 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V - 5.5 V 5.5 V 5.5 V - 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V - 4.5 V 4.5 V 4.5 V - 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V - 5 V 5 V 5 V - 5 V 5 V
表面贴装 YES - YES NO NO - NO NO
技术 CMOS - CMOS CMOS CMOS - CMOS CMOS
端子节距 1.27 mm - 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm - 2.54 mm 2.54 mm
宽度 8.4 mm - 8.4 mm 15.24 mm 15.24 mm - 7.62 mm 7.62 mm

推荐资源

热门文章更多

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1517  840  2855  1245  1926  31  17  58  26  39 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved