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HM6264BLPI-10

产品描述64k SRAM (8-kword x 8-bit) Wide Temperature Range version
产品类别存储    存储   
文件大小78KB，共17页
制造商Hitachi （Renesas ）
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HM6264BLPI-10概述

64k SRAM (8-kword x 8-bit) Wide Temperature Range version

HM6264BLPI-10规格参数

参数名称属性值
厂商名称Hitachi （Renesas ）
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP28,.6
针数28
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最长访问时间100 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDIP-T28
长度35.6 mm
内存密度65536 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量28
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织8KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.7 mm
最大待机电流0.0001 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
宽度15.24 mm

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HM6264BI Series
64k SRAM (8-kword
×
8-bit)
Wide Temperature Range version
ADE-203-492C (Z)
Rev. 3.0
May. 8, 2000
Description
The Hitachi HM6264BI is 64k-bit static RAM organized 8-kword
×
8-bit. It realizes higher performance and
low power consumption by 1.5
µm
CMOS process technology. The device, packaged in 450 mil SOP (foot
print pitch width), 600 mil plastic DIP, is available for high density mounting.
Features
•
Single 5 V supply: 5 V
±
10%
•
Access time: 100/120 ns (max)
•
Power dissipation:
Standby: 10
µW
(typ)
Operation: 15 mW (typ) (f = 1 MHz)
•
Completely static memory
No clock or timing strobe required
•
Equal access and cycle times
•
Common data input and output
Three state output
•
Directly TTL compatible
All inputs and outputs
•
Battery backup operation capability
•
Operating temperature range: –40˚C to +85˚C

HM6264BLPI-10相似产品对比

HM6264BLPI-10 HM6264 HM6264BI HM6264BLFPI-10T HM6264BLPI-12 HM6264BLFPI-12T
描述 64k SRAM (8-kword x 8-bit) Wide Temperature Range version 64k SRAM (8-kword x 8-bit) Wide Temperature Range version 64k SRAM (8-kword x 8-bit) Wide Temperature Range version 64k SRAM (8-kword x 8-bit) Wide Temperature Range version 64k SRAM (8-kword x 8-bit) Wide Temperature Range version 64k SRAM (8-kword x 8-bit) Wide Temperature Range version
零件包装代码 DIP - - SOIC DIP SOIC
包装说明 DIP, DIP28,.6 - - SOP, SOP28,.45 DIP, DIP28,.6 SOP, SOP28,.45
针数 28 - - 28 28 28
Reach Compliance Code unknow - - unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 - - EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 100 ns - - 100 ns 120 ns 120 ns
I/O 类型 COMMON - - COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDIP-T28 - - R-PDSO-G28 R-PDIP-T28 R-PDSO-G28
长度 35.6 mm - - 18 mm 35.6 mm 18 mm
内存密度 65536 bi - - 65536 bi 65536 bi 65536 bi
内存集成电路类型 STANDARD SRAM - - STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 8 - - 8 8 8
功能数量 1 - - 1 1 1
端子数量 28 - - 28 28 28
字数 8192 words - - 8192 words 8192 words 8192 words
字数代码 8000 - - 8000 8000 8000
工作模式 ASYNCHRONOUS - - ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C - - 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C - - -40 °C -40 °C -40 °C
组织 8KX8 - - 8KX8 8KX8 8KX8
输出特性 3-STATE - - 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP - - SOP DIP SOP
封装等效代码 DIP28,.6 - - SOP28,.45 DIP28,.6 SOP28,.45
封装形状 RECTANGULAR - - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE - - SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE
并行/串行 PARALLEL - - PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 5 V - - 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified - - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.7 mm - - 3 mm 5.7 mm 3 mm
最大待机电流 0.0001 A - - 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A
最小待机电流 2 V - - 2 V 2 V 2 V
最大压摆率 0.05 mA - - 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V - - 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V - - 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V - - 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO - - YES NO YES
技术 CMOS - - CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL - - INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 THROUGH-HOLE - - GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING
端子节距 2.54 mm - - 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL - - DUAL DUAL DUAL
宽度 15.24 mm - - 8.4 mm 15.24 mm 8.4 mm

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