64 MEDO DRAM (8-Mword X 8-bit) 8 k Refresh/4 k Refresh
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Hitachi (Renesas ) |
零件包装代码 | SOJ |
包装说明 | SOJ, SOJ32,.44 |
针数 | 32 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
访问模式 | FAST PAGE WITH EDO |
最长访问时间 | 50 ns |
其他特性 | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PDSO-J32 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 20.95 mm |
内存密度 | 67108864 bi |
内存集成电路类型 | EDO DRAM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 32 |
字数 | 8388608 words |
字数代码 | 8000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 8MX8 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOJ |
封装等效代码 | SOJ32,.44 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
电源 | 3.3 V |
认证状态 | Not Qualified |
刷新周期 | 4096 |
座面最大高度 | 3.76 mm |
自我刷新 | NO |
最大待机电流 | 0.0005 A |
最大压摆率 | 0.135 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | J BEND |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
宽度 | 10.16 mm |
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