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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRF624
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IRF624

产品描述Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小49KB，共1页
制造商International Rectifier （ Infineon ）
官网地址http://www.irf.com/
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IRF624在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
IRF624 - - 点击查看 点击购买

IRF624概述

Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IRF624规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier （ Infineon ）
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE
最小漏源击穿电压250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)4.4 A
最大漏极电流 (ID)4.4 A
最大漏源导通电阻1.1 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）225
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值50 W
最大功率耗散 (Abs)50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)14 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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MOSFETs
MOSFETs (Continued)
International
Rectifier
HEXFET
ª
Power MOSFETs Ñ TO-220AB (continued)
N-Channel (continued)
Mfr.Õs
Type
IRFZ24N*
IRF1010E*
IRFZ44E*
IRFZ34E*
IRFZ14*
IRF2807*
IRF3710*
IRF1310N*
IRF540N*
IRF530N*
IRF520N*
IRF510*
IRF3415*
IRF640N
IRF630NS
IRF620*
IRF610*
IRF644*
IRF624*
IRF614*
IRF740*
IRF730*
IRF720*
IRF710*
IRF744*
IRF840*
IRF830*
IRF820*
IRFB9N60A 
IRFBC40*
IRFBC30*
IRFBE30*
IRFBF30*
IRFBF20*
IRFBG30*
IRFBG20*
Logic Level N-Channel
IRL3102*
IRL3202*
IRL3302*
IRL3803*
IRL2203N*
IRL3103*
IRL3303*
IRL3705N*
IRLZ44N*
IRLZ34N*
IRLZ24N*
IRLZ14*
IRL2910*
IRL540*
IRL530N*
IRL520*
IRL510*
IRL640*
IRL630*
P-Channel
IRF4905*
IRF9Z34N*
IRF9Z14*
IRF5210*
IRF9540N*
IRF9530N*
IRF9520*
IRF9510*
IRF6215*
IRF9640*
IRF9630*
IRF9620*
IRF9610*
Low Charge N-Channel
IRF740A*
IRF730A*
IRF840A*
IRF830A*
IRFBC40A*
IRFBC30A*
N-Channel
400
400
500
500
600
600
0.6000
1.0000
0.8500
1.4000
1.2000
2.2000
10.00
5.50
8.00
4.50
6.20
3.60
125.00
74.00
125.00
74.00
125.00
74.00
Ð55
Ð60
Ð60
Ð100
Ð100
Ð100
Ð100
Ð100
Ð150
Ð200
Ð200
Ð200
Ð200
0.0200
0.1400
0.5000
0.0600
0.2000
0.3000
0.6000
1.2000
0.2900
0.5000
0.8000
1.5000
3.0000
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Ð11.00
Ð6.50
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Ð1.80
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150.00
150.00
88.00
60.00
43.00
83.00
125.00
74.00
40.00
20.00
20
20
20
30
30
30
30
55
55
55
55
60
100
100
100
100
100
200
200
0.0130
0.0160
0.0200
0.0060
0.0070
0.0140
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0.0100
0.0220
0.0350
0.0600
0.2000
0.0260
0.0770
0.1000
0.2700
0.5400
0.1800
0.4000
61.00
48.00
39.00
120.00
100.00
56.00
34.00
77.00
41.00
27.00
18.00
10.00
48.00
28.00
15.00
9.20
5.60
17.00
9.00
89.00
69.00
57.00
150.00
130.00
83.00
56.00
130.00
83.00
56.00
45.00
43.00
150.00
150.00
63.00
60.00
43.00
125.00
74.00
V(BR)
DSS
(V)
55
60
60
60
60
75
100
100
100
100
100
100
150
200
200
200
200
250
250
250
400
400
400
400
450
500
500
500
600
600
600
800
900
900
1000
1000
R
DS(on)
(½)
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0.0140
0.0260
0.0400
0.2000
0.0130
0.0280
0.0360
0.0520
0.1100
0.2000
0.5400
0.0420
0.1800
0.4000
0.8000
1.5000
0.2800
1.1000
2.0000
0.5500
1.0000
1.8000
3.6000
0.6300
0.8500
1.5000
3.0000
0.7500
1.2000
2.2000
3.0000
3.7000
8.0000
5.0000
11.0000
I
D
@ 25¡C
(A)
17.00
81.00
48.00
28.00
10.00
71.00
46.00
36.00
27.00
15.00
9.50
5.60
37.00
18.00
9.00
5.20
3.30
14.00
4.40
2.70
10.00
5.50
3.30
2.00
8.80
8.00
4.50
2.50
9.20
6.20
3.60
4.10
3.60
1.70
3.10
1.40
P
D
(W)
45.00
170.00
110.00
68.00
43.00
150.00
150.00
120.00
94.00
60.00
47.00
43.00
150.00
125.00
74.00
50.00
36.00
125.00
50.00
36.00
125.00
74.00
50.00
36.00
125.00
125.00
74.00
50.00
170.00
125.00
74.00
125.00
125.00
54.00
125.00
54.00
HEXFET
ª
Power MOSFETs Ñ Fully Isolated TO-220 Fullpak (cont.)
N-Channel (continued)
Mfr.Õs
Type
IRFIZ24N
IRFI1310N
IRFI540N
IRFI530N
IRFI520N
IRFI640G
IRFI630G
IRFI614G
IRFI740G
IRFI720G
IRFI840G
IRFI820G
IRFIBC20G
IRFIBE30G
IRFIBE20G
Logic Level N-Channel
IRLI2505
IRLIZ44N
IRLIZ34N
IRLI520G
IRLI640G
IRLI630G
IRLI620G
P-Channel
IRFI9Z34G
IRFI9540G
IRFI9630G
IRFI9620G
Logic Level P-Channel
IRFI9Z24G
IRFI9Z14G
IRFI9530G
Ð60
Ð60
Ð100
0.2850
0.5000
0.0300
Ð8.50
Ð5.30
Ð7.70
37.00
27.00
38.00
Ð60
Ð100
Ð200
Ð200
0.1000
0.1170
0.8000
1.5000
19.00
Ð23.00
Ð4.30
Ð3.00
68.00
3.80
40.00
30.00
55
55
55
100
200
200
200
0.0080
0.0220
0.0350
0.2700
0.1800
0.4000
0.8000
58.00
28.00
20.00
7.20
9.80
5.90
4.10
63.00
38.00
31.00
37.00
40.00
32.00
30.00
V(BR)
DSS
(V)
55
100
100
100
100
200
200
250
400
400
500
500
600
800
800
R
DS(on)
(½)
0.0700
0.0360
0.0520
0.1100
0.2000
0.1800
0.4000
2.0000
0.5500
1.8000
0.8500
3.0000
4.4000
3.0000
6.5000
I
D
@ 25¡C
(A)
13.00
22.00
18.00
11.00
7.20
9.80
5.90
2.10
5.40
2.60
4.60
2.10
1.70
2.10
1.40
P
D
(W)
26.00
45.00
42.00
33.00
27.00
40.00
32.00
23.00
40.00
30.00
40.00
30.00
30.00
35.00
30.00
HEXFET
ª
Power MOSFETs Ñ HEXDIP
N-Channel
Mfr.Õs
Type
IRFD024
IRFD014
IRFD120
IRFD110
IRFD220
IRFD210
IRFD214
IRFD310
IRFD420
IRFDC20
Logic Level N-Channel
IRLD024
IRLD014
IRLD120
IRLD110
P-Channel
IRFD9024
IRFD9014
IRFD9120
IRFD9110
IRFD9220
IRFD9210
Ð60
Ð60
Ð100
Ð100
Ð200
Ð200
0.2800
0.5000
0.6000
1.2000
1.5000
3.0000
Ð1.60
Ð1.10
Ð1.00
Ð0.70
Ð0.56
Ð0.40
1.30
1.30
1.30
1.30
1.30
1.30
60
60
100
100
0.1000
0.2000
0.2700
0.5400
2.50
1.70
1.30
1.00
1.30
1.30
1.30
1.30
V(BR)
DSS
(V)
60
60
100
100
200
200
250
400
500
600
R
DS(on)
(½)
0.1000
0.2000
0.2700
0.5400
0.8000
1.5000
2.0000
3.6000
3.0000
4.4000
I
D
@ 25¡C
(A)
2.50
1.70
1.30
1.00
0.80
0.60
0.57
0.42
0.46
0.32
P
D
(W)
1.30
1.30
1.30
1.30
1.30
1.30
1.30
1.30
1.30
1.30
HEXFET
ª
Power MOSFETs Ñ D-PAK
N-Channel
IRFR4105
IRFU4105
IRFR024N
IRFU024N
IRFR014
IRFR120N
IRFU120N
IRFR220N
IRFU220N
IRFR210
IRFU210
IRFR214
IRFR320
IRFU320
IRFR310
IRFR420
IRFU420
IRFR1N60A
P-Channel
Ð100
0.1170
Ð21.00
120.00
IRFR5305
IRFU5305
IRFR5505
IRFU5505
IRFU9024N
IRFR9024
IRFU9014
IRFR9120N
IRFU9120
IRFR9120
IRFR9220
IRFR9210
IRFR9310
Logic Level N-Channel
IRLR3103
IRLU3103
IRLR024N
IRLU024N
IRLU014
IRLR120N
IRLR120
IRLR110
N-Channel
30
30
55
55
60
100
100
100
0.0190
0.0190
0.0650
0.0650
0.2000
0.1850
0.2700
0.5400
Ð55
Ð55
Ð55
Ð55
Ð55
Ð60
Ð60
Ð100
Ð100
Ð100
Ð200
Ð200
Ð400
0.0650
0.0650
0.1100
0.1100
0.1750
0.2800
0.5000
0.4800
0.4800
0.6000
1.5000
3.0000
7.0000
55
55
55
55
60
100
100
200
200
200
200
250
400
400
400
500
500
600
0.0450
0.0450
0.0750
0.0750
0.2000
0.2100
0.2100
0.8000
0.8000
1.5000
1.5000
2.0000
1.8000
1.8000
3.6000
3.0000
3.0000
7.0000
Also available in TO-251AA thru-hole equivalent, substitute ÒUÓ for ÒRÓ in Mfr.Õs
Type number (example: IRFR024N becomes IRFU024N).
25.00
25.00
16.00
16.00
7.70
9.10
9.10
4.80
0.80
2.60
2.60
2.20
3.10
3.10
1.70
2.40
2.40
1.40
48.00
48.00
38.00
38.00
25.00
39.00
39.00
42.00
1.30
25.00
25.00
25.00
42.00
42.00
25.00
42.00
42.00
36.00
HEXFET
ª
Power MOSFETs Ñ TO-247
N-Channel
IRFP260N
IRFP250N
IRFP460A
IRFP450A
IRFPC50A
P-Channel
IRFP9140N
ª
200
200
500
500
600
0.0400
0.0750
0.2700
0.4000
0.5800
49.00
30.00
20.00
14.00
11.00
300.00
214.00
280.00
190.00
180.00
HEXFET Power MOSFETs Ñ TO-247AC
N-Channel
IRFP064N
IRFP054N
IRFP048N
IRFP044N
IRFP3710
IRFP140N
IRFP150N
IRFP260N
IRFP250N
IRFP240
IRFP264
IRFP254
IRFP350
IRFP22N50A
IRFP460
IRFP450
IRFP448
IRFP440
IRFPC60
IRFPC50
IRFPC30
IRFPE50
IRFPE40
IRFPF50
IRFPF40
IRFPG50
IRFPG40
P-Channel
IRFP9140
IRFP9240
Ð100
Ð200
0.2000
0.5000
Ð21.00
Ð12.00
180.00
150.00
55
55
55
55
100
100
100
200
200
200
250
250
400
500
500
500
500
500
600
600
600
800
800
900
900
1000
1000
0.0080
0.0120
0.0160
0.0200
0.0280
0.0520
0.0550
0.0550
0.0850
0.1800
0.0750
0.1400
0.3000
0.2300
0.2700
0.4000
0.6000
0.8500
0.4000
0.6000
2.2000
1.2000
2.0000
1.6000
2.5000
2.0000
3.5000
98.00
72.00
62.00
49.00
51.00
27.00
41.00
46.00
30.00
20.00
38.00
23.00
16.00
22.00
20.00
14.00
11.00
8.80
16.00
11.00
4.30
7.80
5.40
6.70
4.70
6.10
4.30
150.00
130.00
130.00
100.00
180.00
94.00
230.00
280.00
190.00
150.00
280.00
190.00
190.00
277.00
280.00
190.00
180.00
150.00
280.00
180.00
100.00
190.00
150.00
190.00
150.00
190.00
150.00
Ð28.00
Ð28.00
Ð18.00
Ð18.00
Ð11.00
Ð8.80
Ð5.10
Ð6.50
Ð6.50
Ð5.60
Ð3.60
Ð1.90
Ð1.80
89.00
89.00
57.00
57.00
38.00
42.00
25.00
39.00
39.00
42.00
42.00
25.00
50.00
13
46.00
46.00
17.00
17.00
7.70
11.00
7.70
4.30
69.00
69.00
38.00
38.00
25.00
39.00
42.00
25.00
HEXFET
ª
Power MOSFETs Ñ D
2
PAK
IRF3205S
IRF1010NS
IRFZ48NS
IRFZ46NS
IRFZ44NS
IRFZ34NS
IRFZ24NS
IRFZ44ES
IRFZ14S
IRF2807S
55
55
55
55
55
55
55
60
60
75
0.0080
0.0110
0.0160
0.0200
0.0220
0.0400
0.0700
0.0230
0.2000
0.0130
110.00
84.00
64.00
53.00
49.00
29.00
17.00
48.00
10.00
82.00
Ñ NEW Ñ
200.00
3.80
140.00
120.00
110.00
68.00
45.00
110.00
Ñ
200.00
HEXFET
ª
Power MOSFETs Ñ Fully Isolated TO-220 Fullpak
IRFI1010N
IRFIZ48N
IRFIZ46N
IRFIZ44N
IRFIZ34N
55
55
55
55
55
0.0120
0.0160
0.0200
0.0240
0.0400
44.00
36.00
31.00
28.00
19.00
47.00
42.00
40.00
38.00
31.00
*Also Available in D
2
PAK (TO-263/SMD-220). Add suffix S to the Mfr.Õs Type Number.  Also available in D
2
PAK IRFS11N50A and IRFS9N60A. àIndicates Òlow VGS(th)Ó which can operate at VGS = 2.7 V.
For Fast, Dependable Service, Make Just One Call Ñ 1-800-433-5700
ALLIED
c
815

IRF624相似产品对比

IRF624 IRL540 IRF9520 IRF614 IRF740 IRFR220 IRFP9140 IRFU220
描述 Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ）
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant unknown compliant compliant
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE SINGLE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 250 V 100 V 100 V 250 V 400 V 200 V 100 V 200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 4.4 A 28 A 6.8 A 2.7 A 10 A 4.8 A 21 A 4.8 A
最大漏极电流 (ID) 4.4 A 28 A 6.8 A 2.7 A 10 A 4.8 A 21 A 4.8 A
最大漏源导通电阻 1.1 Ω 0.077 Ω 0.6 Ω 2 Ω 0.55 Ω 0.8 Ω 0.2 Ω 0.8 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-252AA TO-247AC TO-251AA
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSSO-G2 R-PSFM-T3 R-PSIP-T3
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 2 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 175 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 175 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT SMALL OUTLINE FLANGE MOUNT IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度） 225 225 225 225 225 245 225 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL P-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL P-CHANNEL N-CHANNEL
功耗环境最大值 50 W 150 W 60 W 36 W 125 W 42 W 180 W 42 W
最大功率耗散 (Abs) 50 W 150 W 60 W 36 W 125 W 42 W 180 W 42 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO YES NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30 30 30 30 30 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
是否无铅 含铅 - 含铅 含铅 含铅 - 含铅 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99
最大脉冲漏极电流 (IDM) 14 A 110 A 27 A 11 A 40 A - 84 A 19 A

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器件捷径:   E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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  6. 240-383WXW21-27SPCFHN
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