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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> MBR20L120CTD0
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MBR20L120CTD0

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 120V V(RRM), Silicon, TO-220AB,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小220KB，共3页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
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MBR20L120CTD0概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 120V V(RRM), Silicon, TO-220AB,

MBR20L120CTD0规格参数

参数名称属性值
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明R-PSFM-T3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.9 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
参考标准AEC-Q101
最大重复峰值反向电压120 V
最大反向电流20 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

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creat by art
MBR20L100CT - MBR20L120CT
20.0AMPS Low V
F
Schottky Barrier Rectifiers
TO-220AB
Features
Low power loss, high efficiency
High current capability, low forward voltage drop
Plastic material used carriers Underwriters
Laboratory Classification 94V-0
High surge current capability
Guard-ring for overvoltage protection
For use in low voltage - high frequency inverter,
free wheeling, and polarity protection application
High temperature soldering guaranteed:
260℃/10 seconds/.375", (9.5mm) lead lengths
at 5 lbs.,(2.3kg) tension
Mechanical Data
Case: TO-220AB
Terminals: Pure tin plated leads, solderable
per MIL-STD-202, Method 208 guaranteed
Polarity: As marked
Mounting position:Any
Mounting torque: 5 in- lbs, max
Weight: 1.92 grams
Ordering Information(example)
Part No.
MBR20L100CT
Package
Packing
Packing
code
D0
Green Compound
Packing code
D0G
TO-220AB 50 / TUBE
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Rating at 25
℃
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
Type Number
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
Peak Repetitive Forward Current
(Rated V
R
, Square Wave, 20KHz)
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single Half
Sine-wave Superimposed on Rated Load
Peak Repetitive Reverse Surge Current (Note 1)
Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 2)
IF=10A, T
A
=25℃
IF=10A, T
A
=125℃
IF=20A, T
A
=25℃
IF=20A, T
A
=125℃
Maximum Reverse Current @ Rated V
R
T
A
=25
℃
T
A
=100
℃
Voltage Rate of Change,(Rated V
R
)
Typical Junction Capacitance (Note 3)
Typical Thermal Resistance
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
Note 1: 2.0uS Pulse Width, f=1.0KHz
Note 2: Pulse Test : 300uS Pulse Width, 1% Duty Cycle
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FRM
I
FSM
I
RRM
MBR20L100CT
100
70
100
20
20
150
1
TYP
0.72
MAX
0.75
0.68
0.85
0.75
MAX
20
15
10000
435
2.8
MBR20L120CT
120
84
120
Unit
V
V
V
A
A
A
A
TYP
0.78
0.63
0.86
0.73
TYP
1.00
1.40
270
3.0
MAX
0.83
0.72
0.90
0.80
MAX
20
10
uA
mA
V/us
pF
O
V
F
0.58
0.81
0.67
TYP
V
I
R
dV/dt
Cj
R
θJC
T
J
T
STG
1.10
1.20
C/W
O
O
- 55 to + 150
- 55 to + 150
C
C
Note 3: Measure at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C.
Version:E12

MBR20L120CTD0相似产品对比

MBR20L120CTD0 MBR20L120CTD0G MBR20L100CTD0 MBR20L100CTD0G
描述 Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 120V V(RRM), Silicon, TO-220AB, Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 120V V(RRM), Silicon, TO-220AB, Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB, Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB,
厂商名称 Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor
包装说明 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用 EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY
外壳连接 CATHODE CATHODE CATHODE CATHODE
配置 COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.9 V 0.9 V 0.85 V 0.85 V
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流 150 A 150 A 150 A 150 A
元件数量 2 2 2 2
相数 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
最大输出电流 10 A 10 A 10 A 10 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
参考标准 AEC-Q101 AEC-Q101 AEC-Q101 AEC-Q101
最大重复峰值反向电压 120 V 120 V 100 V 100 V
最大反向电流 20 µA 20 µA 20 µA 20 µA
表面贴装 NO NO NO NO
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE

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