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FSPYC260F4

产品描述Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 200V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SMD2, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小108KB,共7页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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FSPYC260F4概述

Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 200V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SMD2, 3 PIN

FSPYC260F4规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
包装说明CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (ID)58 A
最大漏源导通电阻0.031 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-CBCC-N3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)200 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式NO LEAD
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

FSPYC260F4相似产品对比

FSPYC260F4 FSPYC260R4 FSPYC260R3
描述 Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 200V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SMD2, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 200V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SMD2, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 200V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SMD2, 3 PIN
是否无铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon )
包装说明 CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 200 V 200 V 200 V
最大漏极电流 (ID) 58 A 58 A 58 A
最大漏源导通电阻 0.031 Ω 0.031 Ω 0.031 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-CBCC-N3 R-CBCC-N3 R-CBCC-N3
JESD-609代码 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 200 A 200 A 200 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON

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