Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-254AA
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | International Rectifier （ Infineon ） |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 其他特性 | ULTRA FAST |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC) | 35 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 600 V |
| 配置 | SINGLE |
| 门极发射器阈值电压最大值 | 5.5 V |
| 门极-发射极最大电压 | 20 V |
| JEDEC-95代码 | TO-254AA |
| JESD-30 代码 | S-XSFM-P3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值 | 150 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 150 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | PIN/PEG |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| VCEsat-Max | 3 V |
| Base Number Matches | 1 |
| IRGMC50UD | IRGMC50UU | IRGMC50UUPBF | IRGMC50UDPBF | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-254AA | Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-254AA | Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-254AA | Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-254AA |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | International Rectifier （ Infineon ） | International Rectifier （ Infineon ） | International Rectifier （ Infineon ） | International Rectifier （ Infineon ） |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3 | FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3 | FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3 | FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant |
| 其他特性 | ULTRA FAST | ULTRA FAST | ULTRA FAST | ULTRA FAST |
| 外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED | ISOLATED | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC) | 35 A | 35 A | 35 A | 35 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 门极发射器阈值电压最大值 | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 门极-发射极最大电压 | 20 V | 20 V | 20 V | 20 V |
| JEDEC-95代码 | TO-254AA | TO-254AA | TO-254AA | TO-254AA |
| JESD-30 代码 | S-XSFM-P3 | S-XSFM-P3 | S-XSFM-P3 | S-XSFM-P3 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 | 3 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | SQUARE | SQUARE | SQUARE | SQUARE |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | 260 | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值 | 150 W | 150 W | 150 W | 150 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
| 端子形式 | PIN/PEG | PIN/PEG | PIN/PEG | PIN/PEG |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | 40 | 40 |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
| VCEsat-Max | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 |
嵌入式系统
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嵌入式系统
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测试/测量
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