Datasheet> 器件分类 > 模拟混合信号IC> 放大器电路> LF411MWG-MPR

LF411MWG-MPR: 产品描述LF411MWG-MPR放大器基础信息： LF411MWG-MPR是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为CERAMIC, SOIC-10 LF411MWG-MPR放大器核心信息： LF411MWG-MPR的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。他的最大平均偏置电流为0.0002 µA 如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，LF411MWG-MPR的标称压摆率有15 V/us。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，LF411MWG-MPR增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为4000 kHz。 LF411MWG-MPR的标称供电电压为15 V，其对应的标称负供电电压为-15 V。LF411MWG-MPR的输入失调电压为2000 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）LF411MWG-MPR的宽度为：6.12 mm。 LF411MWG-MPR的相关尺寸： LF411MWG-MPR拥有10个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为1.27 mm。共有针脚：10 LF411MWG-MPR放大器其他信息：其温度等级为：MILITARY。而其湿度敏感等级为：1。LF411MWG-MPR不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为：R-GDSO-G10。其对应的的JESD-609代码为：e0。 LF411MWG-MPR的封装代码是：SOP。LF411MWG-MPR封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。而其封装形状为RECTANGULAR。LF411MWG-MPR封装引脚的形式有：SMALL OUTLINE。其端子形式有：GULL WING。座面最大高度为2.33 mm。; 产品类别模拟混合信号IC 放大器电路; 文件大小524KB，共12页; 制造商Texas Instruments(德州仪器); 官网地址http://www.ti.com.cn/; 器件替换：LF411MWG-MPR替换放大器

敬请期待详细参数选型对比

LF411MWG-MPR概述

LF411MWG-MPR放大器基础信息：

LF411MWG-MPR是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为CERAMIC, SOIC-10

LF411MWG-MPR放大器核心信息：

LF411MWG-MPR的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。他的最大平均偏置电流为0.0002 µA

如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，LF411MWG-MPR的标称压摆率有15 V/us。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，LF411MWG-MPR增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为4000 kHz。

LF411MWG-MPR的标称供电电压为15 V，其对应的标称负供电电压为-15 V。LF411MWG-MPR的输入失调电压为2000 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）LF411MWG-MPR的宽度为：6.12 mm。

LF411MWG-MPR的相关尺寸：

LF411MWG-MPR拥有10个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为1.27 mm。共有针脚：10

LF411MWG-MPR放大器其他信息：

其温度等级为：MILITARY。而其湿度敏感等级为：1。LF411MWG-MPR不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为：R-GDSO-G10。其对应的的JESD-609代码为：e0。

LF411MWG-MPR的封装代码是：SOP。LF411MWG-MPR封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。而其封装形状为RECTANGULAR。LF411MWG-MPR封装引脚的形式有：SMALL OUTLINE。其端子形式有：GULL WING。

座面最大高度为2.33 mm。

LF411MWG-MPR规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码	SOIC
包装说明	CERAMIC, SOIC-10
针数	10
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
放大器类型	OPERATIONAL AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)	0.0002 µA
标称共模抑制比	100 dB
最大输入失调电压	2000 µV
JESD-30 代码	R-GDSO-G10
JESD-609代码	e0
湿度敏感等级	1
负供电电压上限	-18 V
标称负供电电压 (Vsup)	-15 V
功能数量	1
端子数量	10
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	SOP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	2.33 mm
标称压摆率	15 V/us
供电电压上限	18 V
标称供电电压 (Vsup)	15 V
表面贴装	YES
技术	BIPOLAR
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
标称均一增益带宽	4000 kHz
宽度	6.12 mm
Base Number Matches	1

LF411MWG-MPR相似产品对比

	LF411MWG-MPR	LF411MH	LF411MWG/883	LF411MWG-QMLV	LF411MWG-QML	LF411MH/883	LF411	LF411CH	LF411MWG-MLS
描述	OP-AMP, 2000uV OFFSET-MAX, 4MHz BAND WIDTH, CDSO10, CERAMIC, SOIC-10	IC OP-AMP, 2000 uV OFFSET-MAX, 4 MHz BAND WIDTH, MBCY8, Operational Amplifier	OP-AMP, 2000uV OFFSET-MAX, 2.7MHz BAND WIDTH, CDSO10, CERAMIC, SOIC-10	OP-AMP, 2000uV OFFSET-MAX, 4MHz BAND WIDTH, CDSO10, CERAMIC, SOIC-10	OP-AMP, 2000uV OFFSET-MAX, 4MHz BAND WIDTH, CDSO10, CERAMIC, SOIC-10	OP-AMP, 2000uV OFFSET-MAX, 2.7MHz BAND WIDTH, MBCY8, METAL CAN, TO-99, 8 PIN	LF411 Precision JFET-input Operational Amplifier	OP-AMP, 2000uV OFFSET-MAX, 4MHz BAND WIDTH, MBCY8	OP-AMP, 2000uV OFFSET-MAX, 2.7MHz BAND WIDTH, CDSO10, CERAMIC, SOIC-10
是否Rohs认证	不符合	不符合	-	不符合	-	-	-	不符合	不符合
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	-	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码	SOIC	BCY	SOIC	SOIC	SOIC	TO-99	-	BCY	SOIC
包装说明	CERAMIC, SOIC-10	, CAN8,.2	CERAMIC, SOIC-10	CERAMIC, SOIC-10	CERAMIC, SOIC-10	METAL CAN, TO-99, 8 PIN	-	, CAN8,.2	CERAMIC, SOIC-10
针数	10	8	10	10	10	8	-	8	10
Reach Compliance Code	not_compliant	unknown	compliant	compliant	unknown	compliant	-	unknown	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	-	EAR99	EAR99
放大器类型	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	-	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)	0.0002 µA	0.0002 µA	0.0002 µA	0.0002 µA	0.0002 µA	0.0002 µA	-	0.0002 µA	0.0002 µA
标称共模抑制比	100 dB	100 dB	70 dB	100 dB	100 dB	70 dB	-	100 dB	70 dB
最大输入失调电压	2000 µV	2000 µV	2000 µV	2000 µV	2000 µV	2000 µV	-	2000 µV	2000 µV
JESD-30 代码	R-GDSO-G10	O-MBCY-W8	R-CDSO-G10	R-GDSO-G10	R-GDSO-G10	O-MBCY-W8	-	O-MBCY-W8	R-CDSO-G10
JESD-609代码	e0	e0	-	e0	-	-	-	e0	e0
负供电电压上限	-18 V	-18 V	-18 V	-18 V	-18 V	-18 V	-	-18 V	-18 V
标称负供电电压 (Vsup)	-15 V	-15 V	-15 V	-15 V	-15 V	-15 V	-	-15 V	-15 V
功能数量	1	1	1	1	1	1	-	1	1
端子数量	10	8	10	10	10	8	-	8	10
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	-	70 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-	-	-55 °C
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED	METAL	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	METAL	-	METAL	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	SOP	-	SOP	SOP	SOP	-	-	-	SOP
封装形状	RECTANGULAR	ROUND	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	ROUND	-	ROUND	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	CYLINDRICAL	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	CYLINDRICAL	-	CYLINDRICAL	SMALL OUTLINE
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	2.33 mm	-	2.33 mm	2.33 mm	2.33 mm	-	-	-	2.33 mm
标称压摆率	15 V/us	15 V/us	8 V/us	15 V/us	15 V/us	8 V/us	-	15 V/us	8 V/us
供电电压上限	18 V	18 V	18 V	18 V	18 V	18 V	-	18 V	18 V
标称供电电压 (Vsup)	15 V	15 V	15 V	15 V	15 V	15 V	-	15 V	15 V
表面贴装	YES	NO	YES	YES	YES	NO	-	NO	YES
技术	BIPOLAR	JFET	BIPOLAR	BIPOLAR	BIPOLAR	BIPOLAR	-	JFET	BIPOLAR
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	-	COMMERCIAL	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	-	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	WIRE	GULL WING	GULL WING	GULL WING	WIRE	-	WIRE	GULL WING
端子节距	1.27 mm	-	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	-	-	-	1.27 mm
端子位置	DUAL	BOTTOM	DUAL	DUAL	DUAL	BOTTOM	-	BOTTOM	DUAL
标称均一增益带宽	4000 kHz	4000 kHz	2700 kHz	4000 kHz	4000 kHz	2700 kHz	-	4000 kHz	2700 kHz
宽度	6.12 mm	-	6.12 mm	6.12 mm	6.12 mm	-	-	-	6.12 mm
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	-	-	-
是否无铅	-	含铅	-	含铅	-	含铅	-	含铅	含铅
架构	-	VOLTAGE-FEEDBACK	VOLTAGE-FEEDBACK	-	-	VOLTAGE-FEEDBACK	-	VOLTAGE-FEEDBACK	VOLTAGE-FEEDBACK
25C 时的最大偏置电流 (IIB)	-	0.0002 µA	0.0002 µA	-	-	0.0002 µA	-	0.0002 µA	0.0002 µA
频率补偿	-	YES	YES	-	-	YES	-	YES	YES
低-偏置	-	YES	YES	-	-	YES	-	YES	YES
低-失调	-	NO	NO	-	-	NO	-	NO	NO
最小摆率	-	8 V/us	8 V/us	-	-	8 V/us	-	8 V/us	8 V/us
最大压摆率	-	3.4 mA	3.4 mA	-	-	3.4 mA	-	3.4 mA	3.4 mA
最小电压增益	-	25000	15000	-	-	15000	-	25000	15000
筛选级别	-	-	MIL-STD-883	MIL-PRF-38535 Class V	MIL-PRF-38535	MIL-STD-883	-	-	MIL-PRF-38535 Class V

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