LF411MWG-QMLV放大器基础信息：
LF411MWG-QMLV是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为CERAMIC, SOIC-10
LF411MWG-QMLV放大器核心信息：
LF411MWG-QMLV的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为260他的最大平均偏置电流为0.0002 µA
如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，LF411MWG-QMLV的标称压摆率有15 V/us。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，LF411MWG-QMLV增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为4000 kHz。
LF411MWG-QMLV的标称供电电压为15 V，其对应的标称负供电电压为-15 V。LF411MWG-QMLV的输入失调电压为2000 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）LF411MWG-QMLV的宽度为：6.12 mm。
LF411MWG-QMLV的相关尺寸：
LF411MWG-QMLV拥有10个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为1.27 mm。共有针脚：10
LF411MWG-QMLV放大器其他信息：
其温度等级为：MILITARY。而其湿度敏感等级为：1。LF411MWG-QMLV不符合Rohs认证。其含有铅成分。其对应的的JESD-30代码为：R-GDSO-G10。
其对应的的JESD-609代码为：e0。LF411MWG-QMLV的封装代码是：SOP。LF411MWG-QMLV封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。而其封装形状为RECTANGULAR。LF411MWG-QMLV封装引脚的形式有：SMALL OUTLINE。
其端子形式有：GULL WING。座面最大高度为2.33 mm。
LF411MWG-QMLV放大器基础信息：
LF411MWG-QMLV是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为CERAMIC, SOIC-10
LF411MWG-QMLV放大器核心信息：
LF411MWG-QMLV的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为260他的最大平均偏置电流为0.0002 µA
如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，LF411MWG-QMLV的标称压摆率有15 V/us。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，LF411MWG-QMLV增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为4000 kHz。
LF411MWG-QMLV的标称供电电压为15 V，其对应的标称负供电电压为-15 V。LF411MWG-QMLV的输入失调电压为2000 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）LF411MWG-QMLV的宽度为：6.12 mm。
LF411MWG-QMLV的相关尺寸：
LF411MWG-QMLV拥有10个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为1.27 mm。共有针脚：10
LF411MWG-QMLV放大器其他信息：
其温度等级为：MILITARY。而其湿度敏感等级为：1。LF411MWG-QMLV不符合Rohs认证。其含有铅成分。其对应的的JESD-30代码为：R-GDSO-G10。
其对应的的JESD-609代码为：e0。LF411MWG-QMLV的封装代码是：SOP。LF411MWG-QMLV封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。而其封装形状为RECTANGULAR。LF411MWG-QMLV封装引脚的形式有：SMALL OUTLINE。
其端子形式有：GULL WING。座面最大高度为2.33 mm。
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | CERAMIC, SOIC-10 |
| 针数 | 10 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.0002 µA |
| 标称共模抑制比 | 100 dB |
| 最大输入失调电压 | 2000 µV |
| JESD-30 代码 | R-GDSO-G10 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 负供电电压上限 | -18 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 10 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | SOP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38535 Class V |
| 座面最大高度 | 2.33 mm |
| 标称压摆率 | 15 V/us |
| 供电电压上限 | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | BIPOLAR |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 标称均一增益带宽 | 4000 kHz |
| 宽度 | 6.12 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| LF411MWG-QMLV | LF411MH | LF411MWG/883 | LF411MWG-QML | LF411MWG-MPR | LF411MH/883 | LF411 | LF411CH | LF411MWG-MLS | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | OP-AMP, 2000uV OFFSET-MAX, 4MHz BAND WIDTH, CDSO10, CERAMIC, SOIC-10 | IC OP-AMP, 2000 uV OFFSET-MAX, 4 MHz BAND WIDTH, MBCY8, Operational Amplifier | OP-AMP, 2000uV OFFSET-MAX, 2.7MHz BAND WIDTH, CDSO10, CERAMIC, SOIC-10 | OP-AMP, 2000uV OFFSET-MAX, 4MHz BAND WIDTH, CDSO10, CERAMIC, SOIC-10 | OP-AMP, 2000uV OFFSET-MAX, 4MHz BAND WIDTH, CDSO10, CERAMIC, SOIC-10 | OP-AMP, 2000uV OFFSET-MAX, 2.7MHz BAND WIDTH, MBCY8, METAL CAN, TO-99, 8 PIN | LF411 Precision JFET-input Operational Amplifier | OP-AMP, 2000uV OFFSET-MAX, 4MHz BAND WIDTH, MBCY8 | OP-AMP, 2000uV OFFSET-MAX, 2.7MHz BAND WIDTH, CDSO10, CERAMIC, SOIC-10 |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | - | - | - | 含铅 | - | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | - | - | 不符合 | - | - | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | - | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | SOIC | BCY | SOIC | SOIC | SOIC | TO-99 | - | BCY | SOIC |
| 包装说明 | CERAMIC, SOIC-10 | , CAN8,.2 | CERAMIC, SOIC-10 | CERAMIC, SOIC-10 | CERAMIC, SOIC-10 | METAL CAN, TO-99, 8 PIN | - | , CAN8,.2 | CERAMIC, SOIC-10 |
| 针数 | 10 | 8 | 10 | 10 | 10 | 8 | - | 8 | 10 |
| Reach Compliance Code | compliant | unknown | compliant | unknown | not_compliant | compliant | - | unknown | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | - | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | - | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.0002 µA | 0.0002 µA | 0.0002 µA | 0.0002 µA | 0.0002 µA | 0.0002 µA | - | 0.0002 µA | 0.0002 µA |
| 标称共模抑制比 | 100 dB | 100 dB | 70 dB | 100 dB | 100 dB | 70 dB | - | 100 dB | 70 dB |
| 最大输入失调电压 | 2000 µV | 2000 µV | 2000 µV | 2000 µV | 2000 µV | 2000 µV | - | 2000 µV | 2000 µV |
| JESD-30 代码 | R-GDSO-G10 | O-MBCY-W8 | R-CDSO-G10 | R-GDSO-G10 | R-GDSO-G10 | O-MBCY-W8 | - | O-MBCY-W8 | R-CDSO-G10 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | - | - | e0 | - | - | e0 | e0 |
| 负供电电压上限 | -18 V | -18 V | -18 V | -18 V | -18 V | -18 V | - | -18 V | -18 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -15 V | -15 V | -15 V | -15 V | -15 V | - | -15 V | -15 V |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | - | 1 | 1 |
| 端子数量 | 10 | 8 | 10 | 10 | 10 | 8 | - | 8 | 10 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C | - | 70 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C | - | - | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | METAL | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED | METAL | - | METAL | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | SOP | - | SOP | SOP | SOP | - | - | - | SOP |
| 封装形状 | RECTANGULAR | ROUND | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | ROUND | - | ROUND | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | CYLINDRICAL | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | CYLINDRICAL | - | CYLINDRICAL | SMALL OUTLINE |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38535 Class V | - | MIL-STD-883 | MIL-PRF-38535 | - | MIL-STD-883 | - | - | MIL-PRF-38535 Class V |
| 座面最大高度 | 2.33 mm | - | 2.33 mm | 2.33 mm | 2.33 mm | - | - | - | 2.33 mm |
| 标称压摆率 | 15 V/us | 15 V/us | 8 V/us | 15 V/us | 15 V/us | 8 V/us | - | 15 V/us | 8 V/us |
| 供电电压上限 | 18 V | 18 V | 18 V | 18 V | 18 V | 18 V | - | 18 V | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V | 15 V | 15 V | 15 V | 15 V | - | 15 V | 15 V |
| 表面贴装 | YES | NO | YES | YES | YES | NO | - | NO | YES |
| 技术 | BIPOLAR | JFET | BIPOLAR | BIPOLAR | BIPOLAR | BIPOLAR | - | JFET | BIPOLAR |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY | - | COMMERCIAL | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | - | Tin/Lead (Sn63Pb37) | - | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING | WIRE | GULL WING | GULL WING | GULL WING | WIRE | - | WIRE | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm | - | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | - | - | - | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | BOTTOM | DUAL | DUAL | DUAL | BOTTOM | - | BOTTOM | DUAL |
| 标称均一增益带宽 | 4000 kHz | 4000 kHz | 2700 kHz | 4000 kHz | 4000 kHz | 2700 kHz | - | 4000 kHz | 2700 kHz |
| 宽度 | 6.12 mm | - | 6.12 mm | 6.12 mm | 6.12 mm | - | - | - | 6.12 mm |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | - | - | - |
| 架构 | - | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK | - | - | VOLTAGE-FEEDBACK | - | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | - | 0.0002 µA | 0.0002 µA | - | - | 0.0002 µA | - | 0.0002 µA | 0.0002 µA |
| 频率补偿 | - | YES | YES | - | - | YES | - | YES | YES |
| 低-偏置 | - | YES | YES | - | - | YES | - | YES | YES |
| 低-失调 | - | NO | NO | - | - | NO | - | NO | NO |
| 最小摆率 | - | 8 V/us | 8 V/us | - | - | 8 V/us | - | 8 V/us | 8 V/us |
| 最大压摆率 | - | 3.4 mA | 3.4 mA | - | - | 3.4 mA | - | 3.4 mA | 3.4 mA |
| 最小电压增益 | - | 25000 | 15000 | - | - | 15000 | - | 25000 | 15000 |
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