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BD675ALEADFREE: 产品描述Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, PLASTIC PACKAGE-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小328KB，共2页; 制造商Central Semiconductor; 标准

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BD675ALEADFREE概述

Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, PLASTIC PACKAGE-3

BD675ALEADFREE规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Central Semiconductor
零件包装代码	SIP
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数	3
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	4 A
集电极-发射极最大电压	45 V
配置	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)	750
JEDEC-95代码	TO-126
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-65 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	NPN
最大功率耗散 (Abs)	40 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	10
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	1 MHz
VCEsat-Max	2.8 V
Base Number Matches	1

BD675ALEADFREE相似产品对比

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描述	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, PLASTIC PACKAGE-3	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, PLASTIC PACKAGE-3	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, PLASTIC PACKAGE-3	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, PLASTIC PACKAGE-3	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, PLASTIC PACKAGE-3	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, PLASTIC PACKAGE-3	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, PLASTIC PACKAGE-3
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor
零件包装代码	SIP	SIP	SIP	SIP	SIP	SIP	SIP
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数	3	3	3	3	3	3	3
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	4 A	4 A	4 A	4 A	4 A	4 A	4 A
集电极-发射极最大电压	45 V	80 V	60 V	120 V	60 V	45 V	80 V
配置	DARLINGTON	DARLINGTON	DARLINGTON	DARLINGTON	DARLINGTON	DARLINGTON	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)	750	750	750	750	750	750	750
JEDEC-95代码	TO-126	TO-126	TO-126	TO-126	TO-126	TO-126	TO-126
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e3	e3	e3	e3	e3	e3	e3
元件数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
最低工作温度	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	260	260
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN
最大功率耗散 (Abs)	40 W	40 W	40 W	40 W	40 W	40 W	40 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子面层	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	10	10	10	10	10	10	10
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	1 MHz	1 MHz	1 MHz	1 MHz	1 MHz	1 MHz	1 MHz
VCEsat-Max	2.8 V	2.8 V	2.8 V	2.8 V	2.8 V	2.8 V	2.8 V

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