IC,VACUUM FLUORESCENT DISPLAY DRIVER,CMOS,DIP,18PIN,CERAMIC
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Microchip(微芯科技) |
| 包装说明 | SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-18 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 数据输入模式 | SERIAL |
| 显示模式 | DOT MATRIX |
| 接口集成电路类型 | VACUUM FLUORESCENT DISPLAY DRIVER |
| JESD-30 代码 | R-CDIP-T18 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 22.86 mm |
| 复用显示功能 | NO |
| 功能数量 | 1 |
| 区段数 | 10 |
| 端子数量 | 18 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP18(UNSPEC) |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5,60 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 Class B (Modified) |
| 座面最大高度 | 3.556 mm |
| 最大供电电压 | 5.5 V |
| 最小供电电压 | 4.5 V |
| 标称供电电压 | 5 V |
| 电源电压1-最大 | 80 V |
| 电源电压1-分钟 | 20 V |
| 电源电压1-Nom | 60 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| RBHV6810D | HV6810D | |
|---|---|---|
| 描述 | IC,VACUUM FLUORESCENT DISPLAY DRIVER,CMOS,DIP,18PIN,CERAMIC | IC,VACUUM FLUORESCENT DISPLAY DRIVER,CMOS,DIP,18PIN,CERAMIC |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Microchip(微芯科技) | Microchip(微芯科技) |
| 包装说明 | SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-18 | SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-18 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| 数据输入模式 | SERIAL | SERIAL |
| 显示模式 | DOT MATRIX | DOT MATRIX |
| 接口集成电路类型 | VACUUM FLUORESCENT DISPLAY DRIVER | VACUUM FLUORESCENT DISPLAY DRIVER |
| JESD-30 代码 | R-CDIP-T18 | R-CDIP-T18 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 长度 | 22.86 mm | 22.86 mm |
| 复用显示功能 | NO | NO |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 区段数 | 10 | 10 |
| 端子数量 | 18 | 18 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -40 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DIP | DIP |
| 封装等效代码 | DIP18(UNSPEC) | DIP18(UNSPEC) |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5,60 V | 5,60 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 3.556 mm | 3.556 mm |
| 最大供电电压 | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 | 5 V | 5 V |
| 电源电压1-最大 | 80 V | 80 V |
| 电源电压1-分钟 | 20 V | 20 V |
| 电源电压1-Nom | 60 V | 60 V |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.62 mm | 7.62 mm |
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