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PJSMDA12CT/R13

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 350W, 12V V(RWM), Bidirectional, 4 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIC-8
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小236KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准  

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PJSMDA12CT/R13概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 350W, 12V V(RWM), Bidirectional, 4 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIC-8

PJSMDA12CT/R13规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明R-PDSO-G8
针数8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最小击穿电压13.3 V
配置SEPARATE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G8
最大非重复峰值反向功率耗散350 W
元件数量4
端子数量8
最高工作温度150 °C
最低工作温度-50 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性BIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压12 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1
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