Standard SRAM, 1MX1, 25ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, LCC-32
| 参数名称 | 属性值 |
| 零件包装代码 | DLCC |
| 包装说明 | SON, SOLCC32,.4 |
| 针数 | 32 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
| 最长访问时间 | 25 ns |
| I/O 类型 | SEPARATE |
| JESD-30 代码 | R-CDSO-N32 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 20.955 mm |
| 内存密度 | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 1 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 1048576 words |
| 字数代码 | 1000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 1MX1 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 可输出 | NO |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | SON |
| 封装等效代码 | SOLCC32,.4 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 |
| 座面最大高度 | 2.54 mm |
| 最大待机电流 | 0.005 A |
| 最小待机电流 | 4.5 V |
| 最大压摆率 | 0.14 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 10.16 mm |
| Base Number Matches | 1 |
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